用于6G室外路由器的SMD振荡器TD-12.000MCE-T,TXC是一家小有名气的元器件供应商,秉持着创新的设计理念,不断向市场提供性能优越,具有成本效益的产品,通过不断优化与迭代,发布新型MEMS可编程晶体振荡器产品编码TD-12.000MCE-T,型号TD,尺寸为2520mm,频率为12MHZ,频率稳定性50ppm,工作温度-40°C~+85°C,具备良好的稳定性能以耐压性能,适合用于6G室内路由器,无线模块,蓝牙模块,小型设备等领域。
由于现代车辆中非常复杂的电子器件数量不断增加,小型化板上的封装密度也越来越高,因此对非常小的频率确定元件的需求也在不断增长。此外,在许多应用程序中,必须从AEC-Q200兼容SMD石英敬安AEC-Q100兼容型贴片晶体振荡器。设计人员要求更高的温度范围、更精确的频率容差或更小的外壳,以满足板极小化的要求。对于没有补偿的石英,不再可能实现这一点。此外,由于技术原因,小外壳中的电阻增加如此之大,以至于不能再坚持车辆制造商要求的≥10的安全系数,因为振荡器电平不能再在要求的安全范围内操作更高的石英电阻。使用汽车振荡器,可以驱动更高的负载,可以循环使用更多的IC,因此在任何情况下都可以实现开关的安全焊接。与石英不同,振荡器不需要占用空间的外部开关机制,这意味着可以开发更小的PCB。
极度耐用和高度精确:
10亿小时的MTBF。50,000克的抗冲击性和70克的振动稳定性以及业界最佳的0.1ppb/G振动灵敏度并不只是一厢情愿的想法,而是符合LPO-AUT系列(-40/+85°C)、HTLPO-AUT(40/+105°C和-40/+125°C)和WTLPO-AUT(-55/+125°C)的SMD振荡器所符合的标准环境条件,从而为汽车SMD振荡器设定了市场上的最佳值。所有汽车振荡器在相应的要求温度范围(也是-55/+125°C)内的频率稳定性为20ppm,交付10年后老化为±5ppm。因此,汽车振荡器精度极高,可用于所有汽车应用,如信息娱乐系统、碰撞警告系统、汽车以太网、视觉系统、传输控制、黑匣子、传感器等。
安全应用:
汽车制造商的需求不断增长。信息娱乐系统中通过蓝牙与外部设备的通信结构需要越来越快地运行。汽车以太网甚至布线系统也必须越来越精确地循环,以便更好地运行。传输控制需要高温范围和极端程度的抗冲击和振动稳定性,而石英技术已无法满足这些要求。但是它们可以用TXC产品系列中的汽车振荡器来实现。
VDD范围2.25–3.63 VDC/低功率:
该系列中的1–137MHz频率范围内的低功耗AEC-Q100兼容型汽车时钟振荡器具有高度创新的CMOS ICs,不仅功耗极低,而且可以在任何可能的电源电压下在2.25–3.63VDC(3.3VDC或3.0VDC,或2.8VDC或2.5VDC)的电源电压范围内工作。
每一种精度和每一种电源电压都需要自己精心指定、检查、鉴定、购买和管理的振荡器的时代已经过去。“-XX-”版本(2.25–3.63VDC)在整个过程中节省了大量资金!此外,组件的数量可以显著减少,这导致采购和库存管理中的基础设施成本降低(减少仓库中的资金占用等)。)更大数量的组件也意味着更低的价格。
例如,低成本/低功耗汽车振荡器的电源范围为2.25–3.63VDC,精度为20 ppm@-55/+125°C,可用于任何汽车应用。
例如,在125MHz的频率下,汽车振荡器的典型功耗为6.2ma@2.25–3.63VDC。传统的石英振荡器需要40 mA。这意味着汽车振荡器也满足了对现代部件的要求,现代部件需要越来越少的电能。所有传统频率的样品都可以从TXC仓库货架上获得,或者特殊频率可以在几天内交付。
SolftLevel函数减少EMV:
原厂代码
品牌
型号
类型
频率
频率稳定度
工作温度
TC-8.192MCE-T
TXC振荡器
TC
MEMS (Silicon)
8.192MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TC-8.192MDE-T
TXC振荡器
TC
MEMS (Silicon)
8.192MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TC-80.000MBE-T
TXC振荡器
TC
MEMS (Silicon)
80MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TC-80.000MCE-T
TXC振荡器
TC
MEMS (Silicon)
80MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TC-80.000MDE-T
TXC振荡器
TC
MEMS (Silicon)
80MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.544MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
1.544MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.544MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
1.544MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.544MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
1.544MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.8432MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.8432MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.8432MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-10.000MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
10MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-10.000MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
10MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-10.000MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
10MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-100.000MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
100MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-100.000MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
100MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-100.000MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
100MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-106.250MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
106.25MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-106.250MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
106.25MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-106.250MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
106.25MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-11.0592MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-11.0592MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-11.0592MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.000MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.000MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.000MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.200MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.2MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.200MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.2MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.200MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.2MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.288MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.288MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.288MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.352MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.352MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.352MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.500MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.500MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.500MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.000MBE-T
TXC有源晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.000MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.000MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.513MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.513MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.513MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.31818MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
14.31818MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.31818MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
14.31818MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.31818MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
14.31818MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.7456MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.7456MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.7456MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.000MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.000MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.000MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.8682MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.8682MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.8682MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.000MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.000MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.000MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.0972MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.0972MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.0972MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.384MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.384MCE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.384MDE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-18.432MBE-T
TXC振荡器
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
普通LVCMOS方波信号具有尖锐的边沿,这可能导致汽车应用中的EMV问题。安装的高度创新的CMOS ICs允许输出信号的上升时间和下降时间延长高达45%,因此通过延长TR/TF时间,可以实现超过-60 dB的11次谐波EMV阻尼。对于t来说,如此简单的调整具有巨大的价值升高和t秋天不花顾客一分钱的时间,而是标准服务的一部分。这是TXC汽车振荡器的另一个非常重要的优势。
多种多样的外壳–外壳的选择
全部汽车振荡器提供尺寸为2.0×1.6毫米的标准外壳;2.5×2.0毫米;3.2×2.5毫米;5.0×3.2毫米和7.0×5.0毫米。然而,对于新的设计,最常使用尺寸为2.0×1.6毫米和2.5×2.0毫米的外壳。然而,趋势倾向于2.0×1.6mm。两种套管都可以长期使用。用于6G室外路由器的SMD振荡器TD-12.000MCE-T.
过时管理:
这是理所当然的事,TXC技术公司已经优化了过时管理。考虑到这一点,TXC专家只向他们的客户推荐至少可使用10年的产品。
总结:
通过在2.25–3.63VDC("-XX-"版本)的电源范围内使用上述汽车有源晶振,频率容差非常窄,为20ppm,整个过程可以节省大量资金,因为需要检查、采购和储存的产品更少。此外,通过对输出信号的简单调整,可以显著改善EMV特性。TXC产品非常小巧,价格实惠,极其耐用,可长期使用,可用于所有汽车应用。TXC技术公司的专家提供详细的咨询,不仅提供全面的技术服务设计输入流程和应用工程师的大规模生产,但他们也可以根据车辆制造商标准进行电路测试。从一个单一的来源为客户的福利。TXC技术公司“您的计时专家”!