高利奇晶振,石英晶体振荡器,GXO-U113晶振,GXO-U114晶振,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站
对于圆片晶振，X、Z 轴较难区分，所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1），会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的装架点胶，点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。石英晶振产品电极的设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电极；3.改变电阻；4.抑制杂波。
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项目 |
符号 |
GXO-U113规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1.8 ~ 50.0MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
3.3V.5.0V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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|
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
|
L: ±100 × 10-6 |
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|
T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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|
VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
|
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
|
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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项目 |
符号 |
GXO-U114规格说明 |
条件 |
|
输出频率范围 |
f0 |
30.0 ~ 70.0MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.8 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有产品的共同点
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.高利奇晶振,差分晶振,GXO-E31晶振
Golledge晶振环保理念
高利奇石英晶振公司认真对待环境,管理环境管理系统,并将其重新编码到ISO14001.我们的环境政策,作为我们不断改进的动力的一部分,我们也鼓励员工在生活的各个方面都意识到他们对环境的影响.
在我们的环境范围允许的情况下,我们致力于防止污染.最低限度我们将确保遵守所有相关的环境法规和规章和内部环境程序.在此之上,我们将不断努力改善我们的环境性能.
在选择声表面滤波器,石英振荡器,进口晶振原材料供应商和承包商时考虑环境因素,从而减少污染.进一步减少污染,合理使用资源.减少使用和再利用,或者尽可能地回收利用.我们确保这一政策在我们的运营过程中得到贯彻执行.
NDK晶振,有源晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振
32.768KHz,XUH516000.032768I,5032mm,LVCMOS,Renesas品牌
7050mm,CWX815-24.576M,CWX815,ConnorWinfield导航仪晶振
8P-26.000MBS-T,VC-TCXO振荡器,有源晶体振荡器
8W-12.000MBD-T,8W系列晶振,CMOS晶体振荡器
7X-50.000MBB-T,TXC高性能晶振,智能家居晶振
OAEWDLVTYF-125.000000,OA-U系列晶振,SMD晶振
OCETDLJANF-25.000000,SPXO晶振,台湾泰艺晶振
