TXC晶振,有源晶振,8W晶振,TXC晶振公司是一家领先的专业频率控制,温补晶振,石英晶体振荡器,石英晶体谐振器,石英晶体,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等产品制造商致力于研究,设计,制造和销售双列直插封装(DIP)和表面贴装器件(SMD)石英晶体和振荡器产品。台湾晶技TXC晶振多年来,我们始终以提升客户价值为目标,是以无论在价格、质量、交期、服务等方面,均尽力尽心于超越客户的期待,并以能成为客户最佳的策略合作伙伴自我敦促。
型号 |
符号 |
8W晶振 |
输出规格 |
- |
CMOS |
输出频率范围 |
fo |
4MHZ~100MHz |
电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存温度范围 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
运行温度范围 |
T_use |
-40~+85℃ |
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
待机时电流(#1引脚"L") |
I_std |
10μA max. |
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形对称 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0电平电压 |
VOL |
- |
1电平电压 |
VOH |
- |
上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
补偿电压 |
VOS |
1.125~1.375V |
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉点电压 |
Vcr |
- |
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
周期抖动(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
总抖动(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶体振荡器或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.