Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振

Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振，尺寸7.0*5.0mm,频率125MHZ，输出逻辑LVPECL，电压2.5V，频率稳定性7ppm ,LVPECL差分输出晶振，LVPECL差分晶体振荡器，有源晶体振荡器，石英晶体振荡器，OSC晶振，6G路由器差分晶振，无线网络差分振荡器，网络专用差分晶振，超声波晶振，HD视频晶振，测试测量专用差分晶振，时钟应用差分晶振，小型设备专用差分晶振，产品具有低电压低抖动的特点，非常适合用于可视化智能家居，娱乐设备，数字视频，仪器仪表，6G路由器，超声波等领域

有源晶振产品适用于范围比较广泛，常常用于超声波/SDH，网络，SD/HD视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域.Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振.

Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振 参数表

Parameter	Symbol	Test Condition	Min	Typ	Max	Unit
Supply Voltage1	VDD	3.3 V option	2.97	3.3	3.63	V
		2.5 V option	2.25	2.5	2.75	V
		1.8 V option	1.71	1.8	1.89	V
Supply Current	IDD	Output enabled LVPECL CML LVDS CMOS	— — — —	111 99 90 81	121 108 98 88	mA
		Tristate mode	—	60	75	mA
Output Enable (OE)2		VIH	0.75 x VDD	—	—	V
		VIL	—	—	0.5	V
Operating Temperature Range	TA		–40	—	85	ºC

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1,2

LVPECL/LVDS/CML

—

945

MHz

CMOS

—

160

MHz

Initial Accuracy

Measured at +25 °C at time of
shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,3

–7
–20
–50

—

+7
+20
+50

ppm

Aging

Frequency drift over first year

—

±3

ppm

Frequency drift over 20 year
life

—

±10

ppm

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Total Stability

Temp stability = ±7 ppm

—

±20

ppm

Temp stability = ±20 ppm

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±50 ppm

±61.5

ppm

Powerup Time4

tOSC

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

LVPECL Output Option1

mid-level

VDD– 1.42

—

VDD– 1.25

VOD

swing (diff)

1.1

—

1.9

VPP

VSE

swing (single-ended)

0.55

—

0.95

VPP

LVDS Output Option2

mid-level

1.125

1.20

1.275

VOD

swing (diff)

0.5

0.7

0.9

VPP

CML Output Option2

2.5/3.3 V option mid-level

VDD– 1.30

1.8 V option mid-level

VDD– 0.36

VOD

2.5/3.3 V option swing (diff)

1.10

1.50

1.90

VPP

1.8 V option swing (diff)

0.35

0.425

0.50

VPP

CMOS Output Option3

VOH

IOH= 32 mA

0.8 x VDD

VDD

VOL

IOL= 32 mA

0.4

Rise/Fall time (20/80%)

tR,tF

LVPECL/LVDS/CML

350

CMOS with CL= 15 pF

Symmetry (duty cycle)

SYM

LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:

VDD– 1.3 V

1.25 V (diff)
VDD/2

Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振尺寸图

产品特性：

可用于任何速率输出

频率从10兆赫到945兆赫

并选择1.4 GHz的频率

具有卓越性能的第三代DSPLL®

抖动性能

频率稳定性比

SAW有源晶体振荡器

内部固定晶体频率

确保高可靠性和低成本

变老

可用的CMOS、LVPECL、LVDS和CML输出

3.3、2.5和1.8 V电源选项

行业标准5 x 7毫米

包装和引脚

无铅/符合RoHS

更多相关Silicon晶振型号

Manufacturer Part Number原厂代码	Manufacturer品牌	Series型号	Frequency 频率	Voltage - Supply电压	Frequency Stability频率稳定度
510ABA200M000AAG	Silicon振荡器	Si510	200MHz	3.3V	±25ppm
511ABA200M000AAG	Silicon振荡器	Si511	200MHz	3.3V	±25ppm
530EC125M000DG	Silicon振荡器	Si530	125MHz	2.5V	±7ppm
531FC106M250DG	Silicon振荡器	Si531	106.25MHz	2.5V	±7ppm
531FC187M500DG	Silicon振荡器	Si531	187.5MHz	2.5V	±7ppm
531FC000110DG	Silicon振荡器	Si531	148.35165MHz	2.5V	±7ppm
531EC200M000DG	Silicon振荡器	Si531	200MHz	2.5V	±7ppm
531AC000110DG	Silicon振荡器	Si531	148.35165MHz	3.3V	±7ppm
531AC148M500DG	Silicon振荡器	Si531	148.5MHz	3.3V	±7ppm
535EB156M250DG	Silicon振荡器	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm
510CBA25M0000BAG	Silicon振荡器	Si510	25MHz	3.3V	±25ppm
511SBA156M250BAG	Silicon振荡器	Si511	156.25MHz	1.8V	±50ppm
501JAA24M0000DAF	Silicon振荡器	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501BAA16M0000DAF	Silicon振荡器	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501JAA24M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501AAA27M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA25M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	25MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JAA40M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	40MHz	3.3V	±50ppm
501AAA24M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	24MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501EAA48M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA27M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501EAA48M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JAA25M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	25MHz	3.3V	±50ppm
501BAA50M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	50MHz	3.3V	±50ppm
501AAA50M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	50MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501EAA48M0000DAG	Silicon振荡器	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA25M0000DAG	Silicon振荡器	Si501	25MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501HCA27M0000DAF	Silicon振荡器	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501ABA8M00000BAF	Silicon振荡器	Si501	8MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±30ppm
501HCA12M0000DAF	Silicon振荡器	Si501	12MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA24M0000DAF	Silicon振荡器	Si501	24MHz	3.3V	±20ppm
501AAA24M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	24MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501BCA16M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501JCA24M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	24MHz	3.3V	±20ppm
501HCA26M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	26MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JAA25M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	25MHz	3.3V	±50ppm
501BCA16M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501EAA48M0000CAG	Silicon振荡器	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501BAA16M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501BAA16M0000CAG	Silicon振荡器	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501JAA24M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501AAA27M0000BAG	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501ACA10M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	10MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JAA40M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	40MHz	3.3V	±50ppm
501ACA10M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	10MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA10M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	10MHz	3.3V	±20ppm
501HCA12M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	12MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA25M0000CAF	Silicon振荡器	Si501	25MHz	3.3V	±20ppm
501HCA27M0000BAF	Silicon振荡器	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501AAA50M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	50MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501ABA8M00000BAG	Silicon振荡器	Si501	8MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±30ppm
501HCA27M0000DAG	Silicon振荡器	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501ABA8M00000CAG	Silicon振荡器	Si501	8MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±30ppm
501JCA10M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	10MHz	3.3V	±20ppm
501ACA10M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	10MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA20M0000CAG	Silicon振荡器	Si501	20MHz	3.3V	±20ppm
501BCA16M0000BAG	Silicon振荡器	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501BCA16M0000CAG	Silicon振荡器	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501JCA100M000DAF	Silicon振荡器	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JCA100M000CAF	Silicon振荡器	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JCA100M000BAF	Silicon振荡器	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768DAF	Silicon振荡器	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501HCAM032768DAF	Silicon振荡器	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCAM032768CAF	Silicon振荡器	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm