微晶晶振,进口贴片晶振,2012晶体谐振器,CC8V-T1A晶振

微晶晶振详情介绍

微晶晶振,进口晶振,CC8V-T1A晶振,微晶,1978年成立于瑞士格伦兴,为Swatch Group的供货商,提供手表音叉式晶体的产品.而今,微晶已经发展成为一家在微型音叉式石英晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟模块、晶振和OCXO晶体振荡器,有源晶振等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持,服务范围涵盖手机、计算机、汽车电子、手表、工业控制、植入式医疗及其他高可靠性产品.

微晶在瑞士、泰国建有石英晶振,石英晶体振荡器生产中心,及遍布世界各地的代表处.我们所有的产品都得到ISO9001和ISO14001的认证,并达到RoHS,REACh等规范的要求.全球约550个员工的责任感和奉献精神是我们成功的基石.

微晶晶振规格参数

微晶晶振规格	单位	微晶晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息, http://www.guanjiedz.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	7pF ～ ∞	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

CC8V-T1A 2012

微晶晶振注意事项

石英晶体谐振器高精度晶片的切割技术:

AT 切型晶振的晶片厚度为：t= 1670*n/ f 0

BT 切型石英晶振的晶片厚度为：t= 2560*n/ f 0

t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片标称频率(KHz) n: 泛音次数

2.6、晶振的腐蚀技术：用酸液腐蚀掉因研磨而产生的破坏层,消除晶片内应力,同时使石英晶振的晶片达到更准确的目标值.腐蚀频率=（1000*（F/N）+（F 2 /N 2 ）*PB）*N

F：石英晶振的标称频率. 如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.

N: 振动模式 Fund N=1、 3Rd N=3

PB：贴片晶振腐蚀反馈系数.一般在 0.5—1.5 之间.频率低系数大,频率高系数小.

2.7、石英晶振的清洗：清洗掉石英晶振晶片表面的酸液和其它杂质.以被用于制造石英晶体谐振器和石英晶体振荡器.

2.8、分档测试：石英晶振晶片经过上述工序后,进行分档测试.剔除不良品.

2.8.1、RI 不良：不是此规格的石英晶振晶片、碎片、CI 非常大的晶片.

2.8.2、CI 不良：相对阻抗较大的晶振晶片.

2.8.1、±NG 不良：频率超出分档频率范围的贴片晶振晶片.

2.8.1、SPNG 不良：有寄生的晶振晶片.左寄生要求衰减 8dB 以上,右寄生要求衰减 3dB 以上.

2.8.1、RIPL 不良：寄生点数较多的石英晶振晶片,通常规定在一定频段内,寄生点数应小于 10个.

2.9、主要参数：振动模式、标称频率、白片频率（腐蚀频率）、直径、长度、宽度、切割角度、

石英晶振的切型.采用高速线切割技术：1.优化及严格规范线切割机各项设备参数；2.通过试验精选所使用的各类线切割料,如：磨料、线切割线、槽轮等；3.确认最优的石英晶振切割工艺参数.通过以上方法使切割出的贴片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生产效率.