2520mm晶振,高利奇贴片晶振,GSX-323晶振

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GL-1

高利奇晶振,GSX-323晶振,GSX-321晶振,GSX-328晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

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GL-2

高利奇晶振规格	单位	GSX-321贴片晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.00MHZ~66.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C ～ +80°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息, http://www.guanjiedz.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

高利奇晶振规格	单位	GSX-323贴片晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.00MHZ~54.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C～+85°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C～+80°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW～100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6(标准), (±15 × 10-6～±50 × 10-6可用)	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.guanjiedz.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

高利奇晶振规格	单位	GSX-328贴片晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16.00MHZ~315.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C～+90°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C～+80°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW～100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6(标准), (±15 × 10-6～±50 × 10-6可用)	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.guanjiedz.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年