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高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振

高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振

产品简介

频率:10.0kHz ~ 155MHz 尺寸:3.5*2.2mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

产品详情

1XQJX

GL-1

高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CTDTGTNT 2GGCSGL-2

项目

符号

MCSO6E规格说明

条件

输出频率范围

f0

10.0kHz ~ 60.0MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

2.5V~5.0V

请联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

输入电压

VIH

80% VCCMax.

ST终端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

项目

符号

MCSO6规格说明

条件

输出频率范围

f0

10.0kHz ~ 155MHz

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电源电压

VCC

2.5V~5.0V

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储存温度

T_stg

-55to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40to +85

请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com

H: -40to +105

J: -40to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC, L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

输入电压

VIH

80% VCCMax.

ST终端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25,初年度,第一年

项目

符号

MCSO6F规格说明

条件

输出频率范围

f0

10.0kHz ~ 60.0MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

2.5V~3.3V

请联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40to +85

请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com

H: -40to +105

J: -40to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC, L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

输入电压

VIH

80% VCCMax.

ST终端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25,初年度,第一年

3CC

GL-3

mcso6e 3522 OSC

4ZYSXGL-4

石英晶振频率输出是目标频率的三倍

这个问题的可能性相对较小。请确定的三次泛音调模式的频率反馈是否大于基频模式,由于放大电路的反馈大。当放大电路内置于芯片组此问题可能会发生。为了解决这个问题,请采用三次泛音模式晶振。
5-2
。此外,放大电路,第三色调模式设计不当也可能导致电路由第五音模式振荡或不振荡。

系统故障是由于超大输出波形的幅度。
6-1
。请参照资料2.也可以提高终端石英晶振电容解决方案,然后检查波形幅度是否得到改善。

7-1。请确定使用频谱分析仪机中断信号的频率。我们可以发现存在的问题是根据频率什么。
7-2
。如果是从电源的交流信号,请检查电源和信号的两个理由的状态是否是浮动的。请改为浮动,如果它不是。
7-3
。如果信号具有高频率,请使用以下方法:使用晶振外壳为接地。采用水晶较小C0
增加电路,镉和CG的外部电容,并采用晶体具有较高的负载电容CL
7-4
。请检查周围电路和PCB布局,如果上面的方法都没有能够解决您的问题。如果两者都正常,那么请你联系IC制造商探讨其芯片组设计的不明信号的反应。改变周围电路的设计只能缓解问题,而不是完全解决它。通常。这将是最好找出来的芯片组设计问题并解决它。高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振

5HBFZ

GL-5

高利奇贴片晶振环保理念

高利奇石英晶振公司通过BSI质量保证,获得了ISO 9001:2015的认证.BSI是世界领先的认证机构之一.自我们于1996年在ISO 9002 - 1994的原始认证以来,每一项评估都显示出一份清洁的健康法案,没有不一致的情况.

作为世界领先的石英晶体谐振器,贴片晶振, 压控温补振荡器,石英晶体供应商,高利奇晶振公司敏锐地意识到我们的责任,确保我们的产品不受有害物质和高度关注的物质的影响,而且所有的部件材料都是由无冲突地区负责的.

高利奇石英晶振公司认真对待环境,管理环境管理系统,并将其重新编码到ISO14001.我们的环境政策,作为我们不断改进的动力的一部分,我们也鼓励员工在生活的各个方面都意识到他们对环境的影响.

6LXFSGL-6

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