高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等
项目 |
符号 |
MCSO6E规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
10.0kHz ~ 60.0MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
2.5V~5.0V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
项目 |
符号 |
MCSO6规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
10.0kHz ~ 155MHz |
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电源电压 |
VCC |
2.5V~5.0V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
项目 |
符号 |
MCSO6F规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
10.0kHz ~ 60.0MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
2.5V~3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
石英晶振频率输出是目标频率的三倍
这个问题的可能性相对较小。请确定的三次泛音调模式的频率反馈是否大于基频模式,由于放大电路的反馈大。当放大电路内置于芯片组此问题可能会发生。为了解决这个问题,请采用三次泛音模式晶振。
5-2。此外,放大电路,第三色调模式设计不当也可能导致电路由第五音模式振荡或不振荡。
系统故障是由于超大输出波形的幅度。
6-1。请参照资料2.也可以提高终端石英晶振电容解决方案,然后检查波形幅度是否得到改善。
7-1。请确定使用频谱分析仪机中断信号的频率。我们可以发现存在的问题是根据频率什么。
7-2。如果是从电源的交流信号,请检查电源和信号的两个理由的状态是否是浮动的。请改为浮动,如果它不是。
7-3。如果信号具有高频率,请使用以下方法:使用晶振外壳为接地。采用水晶较小C0。
增加电路,镉和CG的外部电容,并采用晶体具有较高的负载电容CL。
7-4。请检查周围电路和PCB布局,如果上面的方法都没有能够解决您的问题。如果两者都正常,那么请你联系IC制造商探讨其芯片组设计的不明信号的反应。改变周围电路的设计只能缓解问题,而不是完全解决它。通常。这将是最好找出来的芯片组设计问题并解决它。高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振
![5HBFZ 5HBFZ](/Mobile/uploadfiles/pictures/product/20170703091703_7821.jpg_280.jpg)
高利奇贴片晶振环保理念
高利奇石英晶振公司通过BSI质量保证,获得了ISO 9001:2015的认证.BSI是世界领先的认证机构之一.自我们于1996年在ISO 9002 - 1994的原始认证以来,每一项评估都显示出一份清洁的健康法案,没有不一致的情况.
作为世界领先的石英晶体谐振器,贴片晶振, 压控温补振荡器,石英晶体供应商,高利奇晶振公司敏锐地意识到我们的责任,确保我们的产品不受有害物质和高度关注的物质的影响,而且所有的部件材料都是由无冲突地区负责的.
高利奇石英晶振公司认真对待环境,管理环境管理系统,并将其重新编码到ISO14001.我们的环境政策,作为我们不断改进的动力的一部分,我们也鼓励员工在生活的各个方面都意识到他们对环境的影响.