CTS西迪斯晶振,MXOHT-AL3M-30M0000,6G路由器晶振,长方型钟振

CTS西迪斯晶振,MXOHT-AL3M-30M0000,6G路由器晶振,长方型钟振，尺寸20.8×13.2×5.1mm,频率30MHZ，时钟振荡器，石英晶体振荡器，OSC晶振，有源振荡器，欧美进口晶振，高性能晶振，低抖动晶振，低电压晶振，6G模块晶振，6G基站晶振，6G无线模块晶振，CTS MXOHTA和MXOHTB是传统的通孔时钟振荡器，提供低成本的设计，支持旧的HCMOS/TTL应用程序。不建议将MXOHTA和MXOHTB用于新的设计活动，但它们是可用的支持为全尺寸和半尺寸金属DIP封装开发的现有应用。

有源晶振产品主要应用范围：工业高温，商业军事/航空，计算机和外围设备，微控制器和fpga，宽带接入，数据通信，以太网/千兆以太网，光纤通道，测试与测量等领域。CTS西迪斯晶振,MXOHT-AL3M-30M0000,6G路由器晶振,长方型钟振.

CTS西迪斯晶振,MXOHT-AL3M-30M0000,6G路由器晶振,长方型钟振，尺寸20.8×13.2×5.1mm,频率30MHZ，时钟振荡器，石英晶体振荡器，OSC晶振，有源振荡器，欧美进口晶振，高性能晶振，低抖动晶振，低电压晶振，6G模块晶振，6G基站晶振，6G无线模块晶振，CTS MXOHTA和MXOHTB是传统的通孔时钟振荡器，提供低成本的设计，支持旧的HCMOS/TTL应用程序。不建议将MXOHTA和MXOHTB用于新的设计活动，但它们是可用的支持为全尺寸和半尺寸金属DIP封装开发的现有应用。

有源晶振产品主要应用范围：工业高温，商业军事/航空，计算机和外围设备，微控制器和fpga，宽带接入，数据通信，以太网/千兆以太网，光纤通道，测试与测量等领域。CTS西迪斯晶振,MXOHT-AL3M-30M0000,6G路由器晶振,长方型钟振.

CTS西迪斯晶振,MXOHT-AL3M-30M0000,6G路由器晶振,长方型钟振 参数表

PARAMETER

SYMBOL

CO NDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

Maximum Supply Voltage

VCC

-

--0.5

-

7 .0

V

Sup ply Voltage

VCC

±10%

1.62 2.25 2.97 4.50

1.8 2.5 3.3 5.0

1.98 2.75 3.63 5.50

V

Typical @ Nominal Vcc, CL= 15 pF, TA= +25°C @ +1.8V, 1.0MHz to 50MHz @ +1 .8V, 50.1MHz to 125MHz

- -

10 20

15 mA 25

ICC Sup ply Current

@ +2.5V, 1.0MHz to 50MHz @ +2 .5V, 50.1MHz to 125MHz

- -

12 25

15 mA 30

@ +3.3V, 1.0MHz to 50MHz @ +3 .3V, 50.1MHz to 125MHz

- -

15 30

20 mA 40

@ +5.0V, 1.0MHz to 40MHz-2030mA

Output Load

CL

-

-

-

15

pF

Operating Temperature

TA

-

-55 -55

+25

+105 +125

°C

Storage Temperature

TSTG

-

--55

-

+125

°C

Frequency Stability

PARAMETER

SYMBOL

CO NDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

Frequency Range

O

+1 .8V, +2.5V, +3 .3V

1.0 - 125 MHz

+5.0V

1.0 - 40

Freq uency Stab ility[Note1]Δf/fO

-

50, 75 or 100

±ppm

Aging

Δf/f25

First Year @ +25°C, nominal VCC

--5

-

5

ppm

1.]Inclusive of initial tolerance at time of shipment, changes in

supply voltage, load, temperature and

1st year aging.

Except ±50ppm which is temperature only .

Output Parameters

PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNIT

Output Type

-

-

HCMOS

-

VOH O utput Voltage Levels VOL

Logic '1' Level, CMOS Load Logic '0' Level, CMOS Load

0.9VCC -

- -

- 0 .1VCC

V

IOH O utput Current Levels IOL

VOH= 90%VCC[+1.8V,+2 .5V,+3.3V,+5.0V] VOL= 10%VCC[+1.8V,+2 .5V,+3.3V,+5.0V]

- -

- -

-4, -4, -8, -16 +4, +4, +8, +16

mA

Output Duty Cycle

SYM

@ 50% Level

45-55

%

@ 10%/90% Levels, Nominal VCC, CL= 15pF

@ +1.8V, 1.0MHz to 20MHz-710

ns

TR, TF Rise and Fall Time [Note2]

@ +1 .8V, 20.1MHz to 125MHz-57

@ +2.5V or +3 .3V, 1 .0MHz to 20MHz-710

ns

@ +2 .5V or +3.3V, 20 .1MHz to 125MHz-47

@ +5.0V, 1.0MHz to 20MHz-710

ns

@ +5 .0V, 20 .1MHz to 40MHz-46

Start Up Time

TS

Application of VCC

-25

ms

CTS西迪斯晶振,MXOHT-AL3M-30M0000,6G路由器晶振,长方型钟振 尺寸图

产品特性：

标准14针或8针金属DIP封装
基本和第三泛音晶体设计
频率范围1 - 125MHz
工作温度，-55°C至+105°C和-55°C至+125°C
操作电压;+ 1.8v， + 2.5v， + 3.3v， + 5.0v
输出使能标准
三种批准的包装方法。

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