差分有源振荡器,石英晶体振荡器,BB晶振

产品简介

尺寸:5.0*7.0mm 频率:25MHZ~200MHZ

MD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

产品详情

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TXC晶振,差分晶振,BB晶振，TXC晶振公司是一家领先的专业频率控制，温补晶振,石英晶体振荡器，石英晶体谐振器,石英晶体，石英晶振,有源晶振,压控振荡器等产品制造商致力于研究，设计，制造和销售双列直插封装（DIP）和表面贴装器件（SMD）石英晶体和振荡器产品。

TXC晶振目前专业从事这些类别的产品：晶体（32.768kHz，基本兆赫，高精度的兆赫，汽车级）Oscillators（32.768kHz，CMOS硅MEMS，差分输出，看到汽车级），压控晶体振荡器（CMOS差分输出），TCXO（基础、GPS、精密），压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）等。

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TXC-2

型号	符号	BB晶振
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	25.000MHZ~200MHz
电源电压	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10^-6max., ±100×10^-6max.
保存温度范围	T_stg	-55℃~+125℃
运行温度范围	T_use	-40~+85℃
消耗电流	I_CC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0电平电压	V_OL	-
1电平电压	V_OH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20~80% Output-OutputN]
差分输出电压	V_OD1, V_OD2	0.247~0.454V
差分输出误差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
补偿电压	V_OS	1.125~1.375V
补偿电压误差	⊿V_OS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	V_IH	V_CC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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TXC-3

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TXC-4 抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶体振荡器或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.