低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V

低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V，爱普生晶振型号 TG5032CGN，产品编码：X1G0052310004，产品型号：TG5032CGN 20.000000MHz CAGHDA，是一款小体积晶振尺寸5.0x3.2x1.45mm小尺寸包（10垫），TCXO晶振，石英晶振，温补晶体振荡器，特点：超高稳定性（< 0.1 x 10-6），低相位噪声，频率范围：10MHz到40MHz，输出：CMOS，低抖动晶振，电源电压： 2.375至3.63V，无铅，符合欧盟RoHS的指令。该产品是CMOS的超高稳定温度补偿晶体振荡器和利用晶体单元的基本振荡器进行的裁剪正弦波输出。这实现了频率为10~40MHz的低相位噪声，适用于包括小电池在内的参考时钟。这使得该产品符合各种标准，包括GR-1244-CORE层3、G.8262.1、G.8273.2（A、B类）。

低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V，参数图

项目	符号	TG5032CGN (CMOS)		TG5032SGN (Clipped sine wave)		条件
		VC-TCXO	TCXO	VC-TCXO	TCXO
输出频率范围	f0	10 MHz ~ 40 MHz
		10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26, 30.72, 32, 38.4, 40 MHz				标准频率
电源电压	VCC	C: 3.3 V± 5% (电源电压范围: 2.375 V ~ 3.63 V)
储存温度范围	T_stg	-40 ºC ~ +90 ºC				裸存
工作温度范围	T_use	G: -40 ºC ~ +85 ºC
a)频率初期公差	f_tol	±1.0 × 10-6Max.				在回流焊后, +25°C
b)频率温度特征	f0-TC	A: ±0.1 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC M: ±0.14 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC B: ±0.28 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC				频率(fmax+fmin)/2基准
c)频率负载变动特征	f0-Load	±0.1 ×10-6 Max.				Load ±10 %
d)频率电源电压特征	f0-VCC	±0.1 ×10-6 Max.				VCC ±5 %
e)频率老化	f_age	±0.5 ×10-6 Max.				+25 °C,第一年
		±3.0 ×10-6 Max.				+25 °C , 20年
Holdover stability	―	±0.01 × 10-6 Max.( +25 °C , 24时间)				工作开始10日后基准
(温度固定)		±0.04 × 10-6 Max.( +25 °C , 24时间)				工作开始48时间后基准
Free-run accuracy	―	±4.6 × 10-6 Max.				这包括项目a), b), c), d), e).
功耗	ICC	5.0 mA Max.		5.0 mA Max.		10 MHz≦f0≦26 MHz
		6.0 mA Max.				26 MHz＜f0≦40 MHz
输入电阻	Rin	100 kΩ Min.	―	100 kΩ Min.	―	VC- GND (DC)
频率控制范围	f_cont	±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6	―	±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6	―	D,J :VC=1.5 V ± 1.0 V (VCC=3.3 V) E,K: VC=1.65 V ± 1.0 V (VCC=3.3 V)
频率变化极	―	正极	―	正极	―
占空比	SYM	45 % ~ 55 %		―		50 % VCC极, L_CMOS£15 pF
输出电压	VOH	90 % Vcc Min.		―
	VOL	10 % Vcc Max.		―
输出电压极	Vpp	―		0.8 V Min.		峰-峰值
上升/下降时间	tr/ tf	8.0 ns Max.		―		10 % VCC ~ 90 % VCC极,负载:15 pF
振荡启动时间	t_str	5.0 ms Max.(Non-Filter:标准) / 2.0 sec. Max.(Filter:选择)				在90 %VCC时，所需时间为0秒
输出负载	Load	15 pF		10 kΩ//10 pF
输入电压	VIH	70% VCC Min.				OE终端(启用电压)
	VIL	30% VCC Max.				OE终端(禁用电压)

低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V，尺寸图

低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V

TG5032CGN温补晶振特征：

频率范围：10MHz至40MHz
输出波形：CMOS有源晶振
电源电压：3.3V类型。
频率/温度特性：±0.1×10-6最大值（-40°C至+85°C）
频率老化：±3.0×10-6最大/20年
外部尺寸：5.0×3.2×1.45mm（10个垫子）
超高稳定性，宽温度范围
应用：小型蜂窝、Stratum3、SyncE、IEEE1588，网络系统等

石英晶振厂家	型号	频率	尺寸	输出波形	电压
X1G0052310004	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310005	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310009	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310010	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310011	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310012	TG5032CGN	12.800000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310013	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310015	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310016	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310017	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310019	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310020	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310023	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310025	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310026	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310027	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310028	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310029	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310030	TG5032CGN贴片晶振	38.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310031	TG5032CGN	38.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310032	TG5032CGN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	2.700 to 3.000 V
X1G0052310033	TG5032CGN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310034	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310035	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310036	TG5032CGN	19.440000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310037	TG5032CGN	30.720000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310039	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310041	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310042	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310043	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310044	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310046	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310047	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310048	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	2.375 to 2.625 V
X1G0052310049	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310050	TG5032CGN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V