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HELE晶振,4脚陶瓷封装晶体,HSO753S晶振

HELE晶振,4脚陶瓷封装晶体,HSO753S晶振

频率：25.0~220MHZ  尺寸：7.0*5.0mm   贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

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HELE晶振,4脚贴片晶体,HSO751S晶振

HELE晶振,4脚贴片晶体,HSO751S晶振

频率：1.20~220MHZ  尺寸：7.0*5.0mm   贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

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Abracon晶振,时钟振荡器,ASVMX晶振

Abracon晶振,时钟振荡器,ASVMX晶振

 频率：可编程MHZ   尺寸：7.0*5.0mm    SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

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Abracon晶振,陶瓷SMD晶体振荡器,ASVK晶振

Abracon晶振,陶瓷SMD晶体振荡器,ASVK晶振

 频率：32.768KHZ   尺寸：7.0*5.0mm    贴 片陶瓷晶振MHz片状型 －汽车用窄频率公差型配备内藏负载电容器的紧凑封装型片状“压电陶瓷”可确保极高的精确度.冠杰公司的晶振频率调整和封装专有技术,实现了负载电容器内内制.

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Abracon晶振,SMD振荡器,ASV2晶振

Abracon晶振,SMD振荡器,ASV2晶振

 频率：0.012~125.00MHZ   尺寸：7.0*5.0mm     ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.

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Abracon晶振,SMD振荡器,ASV1晶振

Abracon晶振,SMD振荡器,ASV1晶振

 频率：0.31~200.00MHZ   尺寸：7.0*5.0mm     ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.

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Abracon晶振,SMD振荡器,ASV晶振

Abracon晶振,SMD振荡器,ASV晶振

 频率：0.31~200.00MHZ   尺寸：7.0*5.0mm     ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.

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Abracon晶振,SMD振荡器,ASL1晶振

Abracon晶振,SMD振荡器,ASL1晶振

 频率：1.00~125.00MHZ   尺寸：7.0*5.0mm     ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.

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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-ULJ晶振

Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-ULJ晶振

 频率：1.00MHZ~200.00MHZ   尺寸：7.0*5.0mm     ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.

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Abracon晶振,SMD晶体振荡器,ASG-P晶振

Abracon晶振,SMD晶体振荡器,ASG-P晶振

 频率：10.00MHZ~1500.00MHZ   尺寸：7.0*5.0mm     ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.

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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-D晶振

Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-D晶振

 频率：10.00MHZ~1500.00MHZ   尺寸：2.5*2.0mm     ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.

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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-C晶振

Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-C晶振

 频率：10.00MHZ~250.00MHZ   尺寸：7.0*5.0mm     ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.

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计时器件是数字电子产品的心脏

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数十亿个计时设备用于每天影响我们生活的电子系统。几十年来，石英计时器件一直是行业标准。但它们体积庞大，可靠性较低，并且在环境压力下无法正常工作。Quartz 未能跟上大规模的技术爆炸。现在是时候打破旧的 quartz 技术并构建可以塑造我们未来的计时解决方案了。SiTime晶振的 MEMS 定时器件就是这样诞生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成（石英不是）。它使SiTime晶振能够利用半导体行业的优势，例如更高的质量、最新的封装创新以及无需大量投资即可快速扩展的能力。
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