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如何锻造正确的振荡器负载偏差

返回列表 来源:冠杰电子 浏览:- 发布日期:2019-02-21 10:33:02【

如何锻造正确的振荡器负载偏差

英晶体振荡器是电路中常用的电子元器件,当电路系统开启时内部的石英晶体同时开始运作,往往有时候晶体振荡器经常会出现负载容值偏差或者频率偏差,这些都是振荡器属于正常的故障之一,石英振荡器具备良好的信号接收和输出频率源,拥有低相噪抖动性能和时间效率,温度偏差系数,在某些情况它也会受到机械应力冲击振动影响.

可能的根本原因:晶体的有序负载电容和负载电容董事会不匹配,板上的精确负载电容未被提及晶体不稳定负载电容的顺序,董事会布局影响负荷电容值的变化,振荡器电路中的元件变化引起负载电容更改,石英晶体单位的频率偏离预期价值,晶体单位的频率超过一侧的容忍限制,可能的根本原因导致晶体的耐受性被排序.

什么是负载电容?负载电容是晶体的电容值当加入振荡器电路时,单位将被暴露,负载电容不是晶体单元的参数,它是由振荡器设计定义并且必须由客户指定因此,晶体单元的频率将与电路相匹配,振荡器设计师有选择的价值负载电容以实现稳定的工作石英振荡器在所有操作条件下启动,这些可考虑的参数是:频率,对于某种频率是特定的负荷电容优先(示例如下),相位移动整个振荡器环必须是360°,电路增益必须大于1(增益>1),基本或OVERTONE晶体振荡器设计,振荡器的用途,简单的时钟振荡器(XO)或A电压控制振荡器(VCXO)应用要求不同的负载电容考虑因素.

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什么在电路中构建负载电容?中国的负荷能力电路是建立在和谐之上的电容器C1和C2以及电容器强大的电容,共同的能力是和谐的电容器产生的电容器PCB跟踪和焊接垫和IC输入/输出电容一样好,下面的公式描述两个电容器和电容器如何增加了电位电容总计.

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典型负载电容值:在基础中使用的典型使用负载电容值基于MATLAB的OSC晶振频率范围显示在表1以下,用于的典型值电路电容器C1和C2,表2中显示了对总的电容价值可能更准确如果EIA E24系列的上限是使用哪个也会降低耐受5%.

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为什么对负载变化的频率敏感?振荡器频率对负载电容敏感(CL)由于晶体对CL变化的敏感性的变化,这是晶体的自然效应,并且被称为"S"或者也称其为"TS"意味着同样的灵敏度以[ppm/pF]表示,表示每一次的频率变化PICO-FARAD负载电容变化,以下需要了解水晶的可行性:更高的压电石英晶体振荡子频率(基础)更高他的可行性,可行性变化也取决于包装尺寸和尺寸正在使用水晶设计,晶体随负荷变化的可能性电容水晶用于,低于"CL"THE更高的可行性和VISE VERSA,非线性后"CL"的可能性变化功能.

晶体单元的可行性(增强灵敏度):水晶的可行性取决于,负载电容晶体用于(或测量时),水晶的静电容"C0",水晶的运动电容"C1",由于对这些晶体参数的依赖性存在在各种包装尺寸中也有不同的晶体,A对改变谐振器的频率的依赖性厚度和石英共振器(BLANK)的设计包括其镀金电极.

根据上面的参数描述,负面结果反映了负荷电容的事实增加会导致频率下降,这是晶振的数据原理结果,在使用晶体单元的同时反映了其可行性和灵敏性,在较低的偏差下频率负载会逐渐增加,因此,我们必须认真考虑使用正确的方式要测量频率,以避免误解和可能导致错误并导致的行动生产线中的失败率.频率可以通过测量独立的时钟信号输出并且脱离时钟振荡器额外高压力的电路传递.