CTS开发新品低损耗石英晶体416F480XXATR,晶体的清洁度有助于改善老化性能?晶体的老化是频率随时间的变化。性能受两个主要因素:污染和压力。老化值范围小于±1ppm，第一年可高达±5ppm的第一年，并取决于频率，设计和包装风格。
沾污附着在晶圆表面会导致负频移由于质量加载。制造工艺的清洁度和晶体的清洁度可改善老化性能。封装的密封性将有助于防止在兆赫晶体寿命期间的污染。包装类型和密封方法也可以改进老化性能。

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应力效应对石英晶片造成正频移在松弛过程中压力与时间。这种应力是安装结构扭转、推动或拉动的结果在晶圆上。这种情况可能发生在加工过程中晶体的各种成分中对石英毛坯，固化的环氧树脂安装胶，晶体安装结构和设备中使用的金属电极材料的类型。也可以加热和冷却因膨胀系数不同而产生应力。系统中的压力通常会改变随着时间的推移，系统放松，这可能会导致频率的变化。为了帮助加速应力的松弛，热循环有时被用来“锻炼”坐骑调整并放松压力。CTS开发新品低损耗石英晶体416F480XXATR,晶体的清洁度有助于改善老化性能?

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加速老化通过加速转变来预测晶体的老化性能通过加热。将晶体放置在高温烘箱中会加速老化效应，其中模拟一年的衰老过程只需几周的时间。晶体的老化曲线为对数型的，所以老化最严重的是第一年。通常情况下，第一年老化量为±1ppm, 10年后可推算为±3ppm。

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测量精度当指定石英晶体振荡器的公差时，测量的精度可能是可制造性的问题。通过“零相位”或被动测量技术，精确到百万分之几是可能的。对于系列共振晶体，由于测量重复性，±5ppm的公差不被认为是一个问题。麻烦的当指定并联共振或负载测量时开始。最终的准确性测量依赖于负载电容的精度。负荷的准确性并联谐振测量中使用的电容器由下面的修剪灵敏度公式表示。当负载电容变小时，Delta F/pF会变大。此外，如果运动电容变大，F/pF也会变大。

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如果负载电容的精度为0.5pF，则测量精度为24ppm。如果另一方面，负载为20pF，则修剪灵敏度为16ppm/pF负载精度相同，测量精度为8ppm。这些只是例子说明了指定低负载电容的影响。

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驱动电平是晶体中损耗的均方根功率，通常以毫瓦表示[mW]或微瓦[μ W]。最大驱动电平是晶体可以安全地消散的最大功率并在规定的电气参数内保持功能。过高的驱动器电平将产生频率的意外变化[加速老化]，导致等效串联电阻增加。这些变化可以是永久性的，如果损坏晶体安装结构发生和如果谐振器坏了，那是灾难性的。

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晶体的测量也需要指定驱动电平。为了更好的精度，降低驱动器水平者优先。驱动电平通常在10uW到2mW之间。低频率的设备更大的石英晶圆可以处理更高的驱动器水平而不损坏。更小、更高频率的设备可能会被5mW以上的高驱动电平损坏。今天的应用程序很少驱动晶体高于2mW，典型能级最高100uW。

如果客户没有定义，CTS将指定标准的最大驱动器电平为100uW。自驱动电平表示振荡电路工作时晶体单元的功耗，为重要的是保持晶体在驱动器级规格。