网络通信超级适合Microchip高性能振荡器DSC1104CI5-125.0000，伴随电子行业的快速发展，产品进入了持续不断迭代与更新的状态，Microchip公司为了能够获得更多的市场机会，开始大量针对当下物联网和通信设备，无线网络等领域优化自身的产品，以此赢得更大的市场空间，同时也放下更多无效的产品，专注于几个应用领域，SMD振荡器产品的工艺比以往更甚细腻，效率更加高，性能更为出色，这也使得Microchip公司对于行业未来的发展有了极大的信心。

原厂代码	品牌	型号	类型	频率	电压
DSC1124CI2-156.2500	Microchip晶体振荡器	DSC1124	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI5-100.0000T	Microchip晶体振荡器	DSC1124	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DL5-052.8000	Microchip晶体振荡器	DSC1101	MEMS (Silicon)	52.8MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1104CI5-125.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1104	MEMS (Silicon)	125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DL5-020.0000T	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-024.0000T	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	24MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1123DI2-100.0000B	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-022.8800T	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	22.88MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-212.5000	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	212.5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-103.1250	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	103.125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-122.8800	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	122.88MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CE1-200.0000T	Microchip晶体振荡器	DSC1103	MEMS (Silicon)	200MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CE1-156.2500T	Microchip晶体振荡器	DSC1103	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI1-156.2500	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE1-125.0000T	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AE2-156.2500	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BE1-156.2500T	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE2-040.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	40MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-040.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	40MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI1-100.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-100.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-114.2850	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	114.285MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-155.5200	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	155.52MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-156.2500	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI1-100.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1102	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI2-150.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	150MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DL5-075.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	75MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DL5-133.3330	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	133.333MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1101CM1-075.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1101	MEMS (Silicon)	75MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101CM1-033.3333	Microchip晶体振荡器	DSC1101	MEMS (Silicon)	33.3333MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101CM1-005.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1101	MEMS (Silicon)	5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-080.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	80MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1123CE5-100.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122NI5-025.0020	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	25.002MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI5-171.8181T	Microchip晶体振荡器	DSC1103	MEMS (Silicon)	171.8181MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI5-171.8181	Microchip晶体振荡器	DSC1103	MEMS (Silicon)	171.8181MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-150.0000T	Microchip晶体振荡器	DSC1102	MEMS (Silicon)	150MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CI5-224.8200	Microchip晶体振荡器	DSC1103	MEMS (Silicon)	224.82MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AL1-150.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	150MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI5-025.0020	Microchip晶体振荡器	DSC1122	MEMS (Silicon)	25.002MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI5-156.2500T	Microchip晶体振荡器	DSC1123	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CL5-106.2500T	Microchip晶体振荡器	DSC1103	MEMS (Silicon)	106.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI1-156.2500TA	Microchip晶体振荡器	DSC1124	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103BL5-062.5000	Microchip晶体振荡器	DSC1103	MEMS (Silicon)	62.5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
MX553BBA312M500	Microchip晶体振荡器	MX55	XO (Standard)	312.5MHz	2.375 V ~ 3.63 V
DSC6111CI1A-016.0000	Microchip晶体振荡器	DSC6100	MEMS (Silicon)	16MHz	1.71 V ~ 3.63 V
DSC1001CL2-012.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	12MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI1-050.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	50MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI1-024.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	24MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI1-025.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI2-033.3300	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	33.33MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-100.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-025.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE2-006.0000	Microchip晶体振荡器	DSC1001	MEMS (Silicon)	6MHz	1.8 V ~ 3.3 V

编码DSC1104CI5-125.0000，DSC1104和DSC1124系列的高性能贴片晶体振荡器采用成熟的硅MEMS技术提供出色的抖动和稳定性，宽范围的电源电压和温度。经过消除了对石英或SAW技术的需要，MEMS振荡器显著增强了可靠性 加速产品开发，同时满足各种应用的严格时钟性能标准通信、存储和网络应用。 DSC1104具有待机功能，允许它en引脚拉低时完全关断； 而对于DSC1124，只有输出被禁用 当en为低电平时。两款振荡器均可在行业标准封装，包括小型2.5毫米x2.0毫米，是标准6针HCSL石英晶体振荡器。

特性：低RMS相位抖动:<1ps(类型)，高稳定性:±10ppm，±20ppm，±25ppm，±50ppm，宽温度范围：工业:- 40℃~ +85℃，外商用:- 20°C至+70°C，工业外:- 40°C至+105°C，高电源噪声抑制:-50dBc，宽频率范围:2.3MHz至460MHz，小的行业标准尺寸:2.5 mm×2.0mm, 3.2mm×2.5mm，5.0mm×3.2mm和7.0mm×5.0mm，卓越的抗冲击和抗振动能力，符合MIL-STD-883标准，高可靠性，MTF比石英晶体振荡器好20倍，低电流消耗，电源范围2.25V至3.6V，待机和输出使能功能，无铅，符合RoHS标准.网络通信超级适合Microchip高性能振荡器DSC1104CI5-125.0000.

应用程序：存储区域网络，SATA、SAS、光纤通道，无源光网络，epon, 10g-epon, pon, 10g-pon，以太网，1G, 10GBASE-T/KR/LR/SR和FCoE，HD/SD/SDI视频和监控，PCI Express: Gen1到Gen4，显示端口.