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Silicon Labs MG24为Waites数据密集型AI传感器供电

返回列表 来源:冠杰电子 浏览:- 发布日期:2024-03-07 17:26:14【

Silicon Labs MG24为Waites数据密集型AI传感器供电

EFR32MG24系列2多协议无线SoC
EFR32MG24无线SOC非常适合智能家居、照明和楼宇自动化产品使用Matter、OpenThread和Zigbee协议实现网状物联网无线连接。具有高性能2.4GHz射频、低功耗石英晶振和AI/ML硬件加速器和安全保险库物联网设备制造商可以制造智能、坚固、节能的产品,免受远程和本地网络攻击。运行频率高达78MHz的ARM Cortex -M33以及高达1.5MB的闪存和256kB的RAM为要求苛刻的应用程序提供了资源,同时为未来的增长留出了空间。目标应用包括网关和集线器,传感器, 开关, 门锁, LED照明、灯具、定位服务、预测性维护、玻璃破碎检测、唤醒词检测等。
Waites通过工业物联网和人工智能改变状态监控
动态的工业世界需要迅速的行动和决策,尤其是当设备出现故障时。对重要资产、重要基础设施和运营的一致评估有助于检测、提醒和解决运营违规问题。状态监控和预测性维护在实现这一目标中发挥着至关重要的作用。通过分析和解释各种类型的机动移动机械的状态,企业可以最大限度地减少计划外停机时间,增强资产生命周期管理和维护部署,并最终降低安全风险。
韦特斯:通过状态监控让世界平稳运行
韦茨自2006年以来一直是状态监控领域的杰出人物,通过全天候即插即用的在线监控,石英晶振厂家和设施经理提供全面的运营视图。他们的无线传感器系统旨在革新预测性和预防性维护,具有一系列用于监控和分析三轴振动和温度数据的传感器和网关。通过在其设施中实施Waites,工厂和设施经理可以在不到5分钟的时间内使其设备监控系统投入运行。
机器学习革新工厂车间
人工智能系统通过训练模型、检测异常和持续监控设备参数来及时干预。AI/ML揭示了对传感器数据的隐藏见解,将状态监控变成了一个主动、经济高效和数据驱动的过程。Waites采用人工神经网络,包括深度神经网络、卷积神经网络和变压器,以及大型语言模型(LLM)来识别用户交互。他们还利用异常检测和预测技术来监控各种内部和遥测指标,在高维多元时间序列数据中对设备缺陷进行分类。

制造、物流和医疗保健等行业越来越多地采用数字基础设施资产管理。Waites走在最前沿,在存放超过100.000项关键资产的多层设施中部署了他们的传感器,即使在具有挑战性的射频环境中也是如此。这些传感器旨在确保精确、不间断的实时数据处理。在部署状态监控传感器时,快速高效的设备设置和安装是一项至关重要的优势,配置时间不到一分钟即可获得竞争优势。韦特斯选择了硅实验室EFR32MG24多协议SoC,可确保其数据密集型电池供电传感器实现可靠、鲁棒和安全的无线通信。贴片晶振,MG24 SoC以网状物联网无线连接为目标,具有出色的射频接收器灵敏度和高达20dBm的输出功率,可扩展范围。使用外设反射系统(PRS)可以从CPU上卸载时间关键的I/O功能,1.5MB的闪存和256kB的RAM提供了坚实的内存空间。凭借其低功耗特性,MG24可确保Waites部署的传感器的电池寿命长达5年。此外,由于硅实验室的预编程CPMS服务,Waites可以简化设备设置和安装,将配置流程缩短至45秒,并为客户提供快速可用性。

利用MG24石英晶体内置AI/ML矩阵向量处理器(MVP)硬件加速器,Waites可以将时间序列数据的大型复杂数学运算速度提高8倍,同时能耗降低8倍。

Design Waites面向未来的传感器具有弹性,可扩展至各种设施规模(拥有数千种不同的机器),即使在最具挑战性的射频条件下也能传输超过100 KB的数据。这些传感器必须在低功耗模式下有效工作,以延长电池寿命并减少电池更换频率。此外,确保传感器配置过程不到1分钟即可完成。
针对mesh IoT无线连接,Waites选择了超低功耗、多协议MG24 Silicon Labs SoC,并集成了AI/ML硬件加速器。MG24 SoC具有出色的RF接收器灵敏度、高达20 dBm的输出功率以及大容量闪存和RAM存储器,可确保一流的低延迟无线连接,非常适合数据密集型远程电池供电传感器。
通过嵌入Silicon Labs MG24 SoC,Waites加快了其传感器的部署,使不同行业的客户能够快速获得传感器。得益于Silicon Labs预编程CPMS服务,Waites可以简化设备设置和安装,将配置过程缩短至45秒。

原厂代码 晶振厂家 型号 频率 电压 频率稳定度
511BCA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±20ppm
530BA125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
531FB125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V ±20ppm
530BB100M000DG Silicon晶振 Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530FC156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM Silicon晶振 SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V有源晶振 ±25ppm
530FC125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon晶振 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon晶振 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon晶振 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon晶振 Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm