台湾TAITIEN晶振32.768kHz晶体全场景适配从紧凑型可穿戴到工业系统的频率基石
台湾TAITIEN晶振32.768kHz晶体全场景适配从紧凑型可穿戴到工业系统的频率基石
在电子设备智能化,小型化,多元化的今天,32.768kHz晶体作为各类电子系统的"时间心跳",承担着时钟同步,频率基准的核心使命,其性能直接决定设备运行的精准度,稳定性与续航能力.台湾TAITIEN(泰艺电子)深耕晶振领域数十年,凭借前沿的频率控制技术,严苛的品质管控体系与丰富的产品研发经验,推出的32.768kHz晶体系列产品,以小型化,低功耗,高稳定性,宽场景适配的核心优势,打破场景壁垒,完美覆盖从紧凑型可穿戴设备到工业控制系统的全领域需求,成为全球电子设备厂商的优选频率器件,彰显台湾晶振产业的技术实力与品牌价值.从方寸之间的智能手表,手环,到严苛复杂的工业自动化设备,智能控制系统,不同场景对32.768KHZ晶振的需求差异显著——可穿戴设备追求极致小型化,超低功耗与轻薄设计,工业系统则侧重高稳定性,强抗干扰能力与宽温适配性,传统晶体往往难以兼顾多场景需求,或因体积过大无法适配紧凑型设备,或因稳定性不足难以应对工业极端环境.TAITIEN精准洞察各领域核心痛点,以技术创新为核心,对32.768kHz晶体进行全方位优化,打造出兼具小型化,低功耗,高可靠性的全场景适配产品,既满足消费电子的轻量化需求,也能承载工业领域的严苛运行要求,实现"一款晶体,多场景赋能"的核心价值.
品牌实力:TAITIEN,台湾晶振领域的标杆企业
台湾TAITIEN(泰艺电子)成立于1983年,是全球领先的频率控制元器件专业制造商,深耕晶振研发,生产与销售四十余年,始终以"技术创新,品质至上"为核心理念,聚焦石英晶体,振荡器,滤波器等频率器件的核心技术突破,产品广泛应用于消费电子,工业控制,汽车电子,物联网,医疗设备等多个领域,远销全球各地,获得国内外客户的高度认可与信赖.作为台湾晶振产业的标杆企业,TAITIEN泰艺晶振拥有一支由资深工程师组成的专业研发团队,配备国际先进的研发设备与检测仪器,建立了从晶体材料筛选,芯片设计,封装测试到成品交付的全流程品质管控体系,严格遵循ISO9001,ISO14001,IATF16949等国际认证标准,确保每一款32.768kHz晶体都能达到严苛的性能标准.依托深厚的技术积淀与完善的生产体系,TAITIEN实现了32.768kHz晶体的规模化,精细化生产,可根据不同场景需求,提供定制化的频率解决方案,灵活适配从可穿戴设备到工业系统的多样化应用需求,成为全球电子设备厂商的核心合作伙伴.
核心技术:多维突破,打造32.768kHz晶体全场景适配能力
32.768kHz晶体的核心价值在于提供精准,稳定的频率基准,而不同应用场景的差异化需求,对晶体的体积,功耗,稳定性,抗干扰能力提出了不同挑战.TAITIEN凭借四十余年的技术积淀,在32.768kHz晶体的材料,封装,电路设计等方面实现多维突破,兼顾小型化,低功耗与高可靠性,打破场景局限,实现从消费电子到工业系统的全面覆盖.
(一)小型化封装技术,适配紧凑型可穿戴设备
随着可穿戴设备向轻薄化,微型化方向快速发展,对元器件的体积要求愈发严苛,传统32.768kHz晶体的封装尺寸往往难以适配智能手表,手环,智能耳机等紧凑型设备的内部空间.TAITIEN有源晶体振荡器针对性优化封装工艺,采用先进的SMD(表面贴装)小型化封装技术,推出一系列超小尺寸32.768kHz晶体产品,封装尺寸可低至1.2×1.0mm,1.6×1.2mm,相较于传统晶体体积缩小40%以上,能够轻松集成于可穿戴设备的狭小内部空间,不占用多余布局,完美适配设备的轻薄化设计需求.同时,TAITIEN在小型化封装过程中,采用精密焊接工艺与高强度封装材料,确保晶体的结构稳定性,避免因体积缩小导致的性能下降,兼顾小型化与可靠性,既满足可穿戴设备的外观设计需求,也能保障设备的稳定运行.此外,封装表面采用防氧化,防腐蚀处理,提升晶体的环境适应性,延长产品使用寿命,适配可穿戴设备长期贴身使用的场景特点.
(二)超低功耗优化,延长设备续航周期
无论是可穿戴设备,还是工业领域的低功耗传感器,物联网终端,续航能力都是核心需求之一,而32.768kHz晶体作为设备的核心时钟器件,其功耗直接影响设备的续航周期.TAITIEN通过晶体材料优化与电路设计升级,实现32.768kHz晶体的超低功耗突破,激励功率可低至0.5μW,推荐工作功耗范围控制在1μW~100μW,相较于行业同类产品功耗降低30%以上,大幅减少设备的电量消耗.在晶体材料选择上,TAITIEN精选高纯度石英晶体,采用先进的音叉切割工艺,优化晶体的谐振特性,减少晶体自身的能量损耗,从源头降低功耗;在电路设计层面,采用低噪声,低功耗的电路架构,优化反馈机制,避免不必要的能量浪费,确保晶体在精准工作的同时,最大限度降低功耗.对于可穿戴设备而言,超低功耗晶体可延长设备续航时间,减少充电频率,提升用户体验;对于工业低功耗设备而言,可降低设备的能耗成本,适配长期无人值守的运行场景.
(三)高稳定性与强抗干扰,适配工业极端环境
工业系统的工作环境复杂多变,高温,低温,剧烈振动,强电磁干扰等因素,极易导致32.768kHz晶体的频率漂移,影响设备的精准运行.TAITIEN针对工业场景的严苛需求,对32.768kHz晶体进行强化设计,打造高稳定性,强抗干扰的工业级产品,完美适配工业自动化,智能控制,工业物联网等极端场景.在稳定性方面,TAITIEN 32.768kHz晶体采用高精度温度补偿技术,优化晶体的温度特性,工作温度范围可覆盖-40℃~85℃,部分工业级产品可延伸至-55℃~125℃,频率温度系数低至±10×10??/-20℃~+70℃,频率公差可控制在±20×10??(标准),频率老化率低至±3×10??/年,有效抑制温度变化,长期运行带来的频率漂移,确保晶体在极端温度环境下仍能提供精准,稳定的频率基准.在抗干扰能力方面,TAITIEN采用强化型封装与电磁屏蔽设计,选用高强度,抗辐射,抗腐蚀的封装材料,提升晶体的机械强度与抗干扰能力,可抵御剧烈振动,电磁干扰,潮湿腐蚀等复杂环境影响;同时,优化晶体的内部结构,减少外部干扰对谐振信号的影响,确保晶体在工业强电磁环境下仍能稳定工作,避免因干扰导致的设备故障,保障工业系统的连续,稳定运行.
(四)全规格覆盖,满足多场景个性化需求
为实现从紧凑型可穿戴设备到工业系统的全场景适配,TAITIEN四脚贴片晶振 32.768kHz晶体系列产品涵盖多种规格,多种封装类型,可根据不同场景的需求灵活选择.在封装类型上,涵盖SMD小型化封装,DIP直插封装等多种类型,既适配可穿戴设备,消费电子的表面贴装需求,也适配工业设备的传统直插安装需求;在性能参数上,提供不同功耗,不同频率精度,不同温度范围的产品型号,频率公差可根据需求定制,负载电容可灵活适配12.5pF等多种规格,串联电阻(ESR)最大可控制在500Ω,全方位满足可穿戴设备,消费电子,工业控制,物联网等不同领域的个性化需求.
场景赋能:从可穿戴到工业,全方位支撑设备精准运行
TAITIEN 32.768kHz晶体凭借小型化,低功耗,高稳定性,强抗干扰的四大核心优势,成功打破不同应用场景的技术壁垒,实现了从消费电子到工业控制,从便携设备到精密系统的全领域覆盖,广泛应用于紧凑型可穿戴设备,消费电子,工业控制系统,物联网终端,医疗设备等多个核心领域,成为各类电子设备不可或缺的频率基准器件.其中,小型化特性适配紧凑型设备的空间布局需求,低功耗特性契合各类低功耗设备的续航诉求,高稳定性与强抗干扰能力则满足工业,医疗等严苛场景的运行要求,四大优势协同发力,为各类设备的精准运行提供坚实,可靠的频率支撑,有效解决了传统晶体"场景适配单一"的行业痛点,充分彰显了产品"全场景适配,全领域赋能"的核心价值,无论是轻薄便携的可穿戴设备,还是长期稳定运行的工业系统,亦或是精准可靠的医疗仪器,TAITIEN 32.768kHz晶体都能精准匹配需求,发挥频率基准的核心作用,助力设备提升运行精度与稳定性.
(一)紧凑型可穿戴设备:轻薄适配,长效续航
在智能手表,智能手环,智能耳机,智能眼镜等紧凑型可穿戴设备中,TAITIEN 32.768kHz晶体作为核心时钟器件,承担着时间显示,睡眠监测,运动数据统计,蓝牙同步等功能的频率基准任务,其小型化,低功耗特性完美适配可穿戴设备的核心需求.例如,在智能手表领域,无论是主打轻薄设计的高端商务款,还是侧重运动监测的户外款,TAITIEN超小尺寸32.768kHz晶体(1.2×1.0mm,1.6×1.2mm封装)都能轻松嵌入手表表盘内部的狭小空间,无需占用过多PCB布局,完美适配手表3-5mm的轻薄机身设计,不影响手表的外观质感与佩戴舒适度.同时,其超低功耗特性得到充分发挥,激励功率低至0.5μW,相较于行业同类产品功耗降低30%以上,可有效延长手表续航周期——搭配智能手表的低功耗电池,可实现连续7-15天的续航,彻底解决传统手表"一天一充"的痛点,减少用户充电频率,提升使用体验.此外,晶体的高稳定性可确保手表时间显示的精准度,误差控制在每月±1秒以内,同时为睡眠监测,心率监测,运动数据统计等功能提供稳定的时钟基准,确保数据采集的准确性,为用户提供可靠的健康与运动参考.在智能手环中,TAITIEN 32.768kHz晶体的高稳定性与低功耗特性同样发挥着核心作用.手环作为长期贴身佩戴的设备,不仅需要小巧轻薄,更需要长效续航与精准监测,TAITIEN晶体凭借超低功耗设计,可让手环实现连续30天以上的续航,无需频繁充电;同时,稳定的频率基准可确保运动步数统计,睡眠时长监测,心率波动记录的精准度,避免因频率漂移导致的数据偏差,为用户健康管理提供可靠支撑.而在智能耳机中,该晶体作为蓝牙通信模块的核心时钟器件,稳定的频率输出可保障蓝牙连接的顺畅性,将音频传输延迟控制在10ms以内,避免出现音频卡顿,断连,延迟等问题,搭配晶体的低功耗特性,可延长耳机单次使用时长,提升用户听觉体验.凭借优异的综合性能,TAITIEN 32.768kHz晶体已成为华为,小米,荣耀等众多知名可穿戴设备厂商的核心供应商,助力可穿戴设备向更轻薄,更智能,更长续航的方向迭代升级.
(二)工业控制系统:稳定可靠,适配极端场景
在工业自动化,智能控制,工业物联网,机床设备,电力控制系统等工业场景中,32.768kHz晶体作为设备的时钟同步核心,直接影响工业系统的控制精度,运行稳定性与可靠性.TAITIEN工业级32.768kHz晶体,凭借高稳定性,强抗干扰能力与宽温适配性,完美适配工业极端环境,为工业系统的稳定运行提供坚实支撑.在工业自动化生产线中,TAITIEN 32.768kHz晶体作为核心时钟器件,为PLC(可编程逻辑控制器),传感器,执行器等关键设备提供精准的时钟同步基准,确保整条生产线的设备协同运行,避免因时钟偏差导致的生产节拍混乱,产品合格率下降等问题.例如,在汽车零部件生产线上,PLC需要根据传感器采集的信号,精准控制执行器的动作时序,TAITIEN工业级32.768kHz晶体凭借±10×10??/-20℃~+70℃的低频率温度系数,可在车间-10℃~50℃的温度波动范围内,保持稳定的频率输出,确保PLC控制指令的精准传输与执行,将产品合格率提升5%以上,同时提升生产线的运行效率.此外,晶体的强抗干扰能力可有效抵御车间内机床,变频器等设备产生的强电磁干扰,避免频率信号失真,确保生产线连续稳定运行,减少停机维护时间.在电力控制系统中,TAITIEN 32.768kHz晶体的高稳定性的核心价值尤为突出.电力系统的数据分析,指令传输,故障监测等功能,都依赖精准的时钟基准,一旦晶体出现频率漂移,可能导致电力数据采集偏差,控制指令延迟,甚至引发电力系统故障.TAITIEN低抖动晶振工业级32.768kHz晶体凭借低至±3×10??/年的频率老化率,可长期保持稳定的频率输出,确保电力数据采集的准确性与控制指令的及时性,保障电力系统的安全,稳定运行,降低电力故障发生的概率.在工业物联网终端场景中,大量终端设备需要长期无人值守运行,TAITIEN晶体的超低功耗与高可靠性特性完美适配这一需求——其推荐工作功耗范围控制在1μW~100μW,可大幅降低终端设备的能耗,搭配太阳能供电或锂电池供电,可实现终端设备1-2年的免维护运行,减少工业物联网项目的运维成本.此外,TAITIEN工业级32.768kHz晶体通过严格的工业级测试,可抵御工业场景中的剧烈振动(可承受500G振动冲击),强电磁干扰,极端温度(-55℃~125℃)等复杂因素,平均无故障工作时间(MTBF)可达10万小时以上,大幅降低工业设备的维护成本,为工业企业节省运维开支.
(三)多领域延伸:全面覆盖,赋能万物互联
除了紧凑型可穿戴设备与工业系统,TAITIEN 32.768kHz晶体凭借全场景适配能力,还广泛渗透到消费电子,物联网终端,医疗设备等多个领域,实现全领域赋能,彰显"一款晶体,多场景适配"的核心价值.在消费电子领域,该晶体可完美适配智能手机,平板电脑,智能音箱,数码相机,智能机顶盒等各类设备,承担时钟同步,睡眠模式控制,数据传输等核心任务——在智能手机中,TAITIEN 32.768kHz晶体可确保手机时间显示精准,同时为手机的睡眠模式,待机模式提供稳定时钟,降低手机待机功耗,延长手机续航;在智能音箱中,稳定的频率基准可保障蓝牙,Wi-Fi通信的顺畅性,避免音频播放卡顿,提升用户听觉体验;在数码相机中,晶体的高稳定性可确保快门控制,图像采集的精准时序,提升拍摄画质.在物联网领域,TAITIEN 32.768kHz晶体凭借超低功耗,高稳定性的优势,成为智能门锁,智能插座,环境传感器,智能水表,智能电表等终端设备的优选器件.例如,在智能门锁中,晶体的低功耗特性可确保门锁电池长期续航,避免频繁更换电池;高稳定性则可保障门锁的指纹识别,密码解锁,蓝牙解锁等功能的精准运行,避免因频率漂移导致的解锁失败.在环境传感器中,晶体可为传感器的数据采集,传输提供稳定时钟,确保温湿度,空气质量等数据的精准采集与实时传输,为物联网平台的数据分析提供可靠支撑.在医疗设备领域,TAITIEN泰艺晶振厂家 32.768kHz晶体凭借高精准度,高可靠性的特性,适配便携式血糖仪,心电图仪,家用血压计等医疗设备,为医疗数据的精准采集,传输提供稳定的频率基准,确保医疗数据的准确性,为医生诊断提供可靠参考,同时其低功耗特性可延长便携式医疗设备的续航,方便用户随身携带使用.
四,产品优势:四大核心亮点,彰显全场景竞争力
相较于行业同类32.768kHz晶体产品,TAITIEN凭借技术创新与品质管控优势,打造出兼具全场景适配能力的核心产品,其核心优势集中体现在四个方面,完美契合不同领域的应用需求.极致小型化,适配紧凑布局:采用SMD小型化封装技术,封装尺寸低至1.2×1.0mm,体积小巧,可轻松集成于可穿戴设备,小型消费电子等紧凑型设备,不占用多余内部空间,适配设备轻薄化设计需求;超低功耗,延长续航周期:激励功率低至0.5μW,相较于行业同类产品功耗降低30%以上,大幅减少设备电量消耗,延长可穿戴设备,物联网终端,工业低功耗设备的续航时间,提升用户体验与设备运行效率;高稳定性强抗干扰,适配极端场景:频率温度系数低,频率老化率低,工作温度范围覆盖-40℃~85℃(可延伸至-55℃~125℃),强电磁屏蔽与强化封装设计,可抵御振动,干扰,腐蚀等复杂因素,确保产品在工业极端环境与可穿戴长期使用场景中稳定运行;全规格全覆盖,支持定制化:涵盖多种封装类型,功耗等级,频率精度,可根据可穿戴,工业,消费电子等不同场景的个性化需求,提供定制化频率解决方案,灵活适配多样化应用需求.
行业意义:赋能产业升级,彰显台湾晶振实力
当前,全球电子设备正朝着智能化,小型化,低功耗,全场景化的方向快速发展,32.768kHz晶体作为核心基础器件,其性能与适配能力直接影响整个电子产业的发展水平.台湾TAITIEN作为晶振领域的标杆企业,凭借四十余年的技术积淀,推出的32.768kHz晶体系列产品,打破了传统晶体的场景局限,实现了从紧凑型可穿戴设备到工业系统的全场景适配,不仅满足了各类电子设备的核心需求,也推动了消费电子,工业控制,物联网等产业的升级发展.从行业格局来看,TAITIEN 32.768kHz晶体凭借优异的性能与完善的解决方案,打破了国外品牌在高端晶振领域的垄断,彰显了台湾晶振产业的技术实力与核心竞争力,为台湾电子产业的发展注入了强劲动力.同时,TAITIEN始终以行业需求为导向,持续加大研发投入,不断优化产品性能,拓展产品应用场景,推动32.768kHz晶体技术的迭代升级,助力全球电子设备厂商打造更优质,更智能,更高效的产品,推动电子产业向高质量方向发展.
台湾TAITIEN晶振32.768kHz晶体全场景适配从紧凑型可穿戴到工业系统的频率基石
|
NI-10M-3510 |
Taitien |
NI-10M-3500 |
OCXO |
10 MHz |
CMOS |
5V |
±0.2ppb |
|
NI-10M-3560 |
Taitien |
NI-10M-3500 |
OCXO |
10 MHz |
CMOS |
5V |
±0.1ppb |
|
OXETECJANF-40.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
40 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±30ppm |
|
OXETGCJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-24.576000 |
Taitien |
OX |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETHEJANF-12.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
12 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±100ppm |
|
OXETGCJANF-36.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
36 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-40.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
40 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-16.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
16 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-24.576000 |
Taitien |
OX |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-16.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
16 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXKTGLJANF-19.200000 |
Taitien |
OX |
XO |
19.2 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXKTGLJANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-50.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-54.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
54 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXKTGLKANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCETDCJTNF-66.000000MHZ |
Taitien |
OC |
XO |
66 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXETECJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±30ppm |
|
OXETGJJANF-7.680000 |
Taitien |
OX |
XO |
7.68 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OYETCCJANF-12.288000 |
Taitien |
OY |
XO |
12.288 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±20ppm |
|
OXETGLJANF-38.880000 |
Taitien |
OX |
XO |
38.88 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETDCKANF-12.800000 |
Taitien |
OC |
XO |
12.8 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETECJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±30ppm |
|
OCETCCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±20ppm |
|
OCETCCJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±20ppm |
|
OCETDCKTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETDLJANF-2.048000 |
Taitien |
OC |
XO |
2.048 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETELJANF-8.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
8 MHz |
CMOS |
3.3V |
±30ppm |
|
OCETGCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJANF-24.576000 |
Taitien |
OC |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJANF-4.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
4 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJTNF-100.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
100 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLKANF-20.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
20 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLKANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETHCJTNF-100.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
100 MHz |
CMOS |
1.8V |
±100ppm |
|
OCKTGLJANF-20.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
20 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-30.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
30 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-31.250000 |
Taitien |
OC |
XO |
31.25 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCETDCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETDCJTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETGCJANF-33.333000 |
Taitien |
OC |
XO |
33.333 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-66.667000 |
Taitien |
OC |
XO |
66.667 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJANF-27.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJANF-33.333000 |
Taitien |
OC |
XO |
33.333 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-66.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
66 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-80.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
80 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
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OCJTDCJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±25ppm |
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OCKTGLJANF-24.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
24 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-12.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
12 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETDLJANF-8.704000 |
Taitien |
OX |
XO |
8.704 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXKTGCJANF-37.125000 |
Taitien |
OX |
XO |
37.125 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETCLJANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±20ppm |
|
OXETDLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXETGLJANF-48.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
48 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXJTDLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±25ppm |
|
OXJTGLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±50ppm |
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