爱普生最为主流的创新型贴片晶体振荡器X1G005601028800
爱普生最为主流的创新型贴片晶体振荡器X1G005601028800,伴随着高新科技的快速发展,电子行业发展了巨大的变革,也迎来了许多新的机会与挑战,电子产品和晶体振荡器已然成为必需的搭配,也是无可替代的组合搭配,有源晶体振荡器能够为电子产品提供一定稳定性能,从而更加凸显产品的特性,那么,我们则需要了解晶体振荡器如何运行以及其工作原理,晶体振荡器电路通常根据逆压电效应原理工作。施加的电场将在某些材料上产生机械变形。因此,它利用了由压电材料制成的振动晶体的机械共振来产生特定频率的电信号。
爱普生最为主流的创新型贴片晶体振荡器X1G005601028800,通常,石英晶体振荡器是高度稳定的,由良好的品质因数(Q)组成,它们的尺寸小且与经济相关。因此,与其他谐振器(例如LC电路,转叉)相比,石英晶体振荡器电路更为优越。通常,在微处理器和微控制器中,我们使用8MHz晶体振荡器。等效电路还描述了晶体的晶体作用。只看上面显示的等效电路图。电路中使用的基本组件,电感L代表晶体质量,电容C2代表顺应性,C1代表由于晶体的机械成型而形成的电容,电阻R代表晶体的内部结构摩擦,石英晶体振荡器电路该图包括两个谐振,例如串联和并联谐振,即两个谐振频率。
Product Number | 爱普生晶体型号 | Frequency | LxWxH | Output Wave | Supply Voltage | Ope Temperature | Freq. Tol. | I [Max] |
X1G005601027100 | SG-8018CG | 9.216000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601027200 | SG-8018CG | 41.666000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601027300 | SG-8018CG | 30.720000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601027400 | SG-8018CG | 41.666000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601027500 | SG-8018CG | 135.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.1 mA |
X1G005601027600 | SG-8018CG | 33.177600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601027700 | SG-8018CG | 6.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601027800 | SG-8018CG | 4.608000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601027900 | SG-8018CG | 33.333333 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601028000 | SG-8018CG | 2.711860 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601028100 | SG-8018CG | 36.532540 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601028200 | SG-8018CG | 42.473240 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601028300 | SG-8018CG | 66.666700 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
X1G005601028400 | SG-8018CG | 90.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.9 mA |
X1G005601028500 | SG-8018CG | 13.560000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601028600 | SG-8018CG | 110.592000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.7 mA |
X1G005601028700 | SG-8018CG | 6.553600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005601028800 | SG-8018CG | 38.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005601028900 | SG-8018CG | 60.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
X1G005601029000 | SG-8018CG | 64.800000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
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