HELE晶振全面提升电子产品频率控制性能

来源：冠杰电子浏览：- 发布日期：2026-10-20 11:58:57【大中小】

HELE晶振全面提升电子产品频率控制性能
在现代电子系统架构之中,频率控制元器件相当于整套设备的"心脏",所有数据收发,时序调度,射频同步,信号采样,时钟计时功能,全部依托晶振输出的基准频率作为底层参考.频率精度,温度稳定度,相位噪声,老化特性,抗振动干扰能力等指标,直接决定电子产品通信可靠性,数据准确率,长期运行稳定性以及用户体验.随着5G/6G通信,物联网IoT,车载电子,工业自动化,医疗检测设备,智能穿戴,光通信,AI边缘终端等赛道持续升级,终端产品对于时序基准的要求持续抬升,普通低成本晶振极易出现温漂超标,相位噪声大,长期老化偏移,抗干扰弱等一系列问题,成为整机性能瓶颈.
一,频率控制是现代电子产品的底层核心
所有电子设备,无论简单的MCU控制板,还是复杂的射频通信模组,车载域控制器,高速数据采集仪器,都离不开稳定,精准的基准时钟.石英晶振利用石英晶体的压电效应,实现电能与机械振动的互相转换,依靠晶体固定谐振频率,输出周期性时钟信号,供给主控芯片,射频芯片,PHY芯片,ADC采样单元,RTC实时时钟模块使用.从原理层面来看,LC振荡电路也可以产生振荡信号,但是LC电路Q值低,频率受电压,温度,湿度影响极大,频率稳定度通常只能做到千分级别,完全无法满足现代数字通信与精密测控的需求.石英晶体谐振器拥有极高品质因数Q,Q值越高,谐振峰越陡峭,对外界环境扰动的抑制能力越强,天然具备优秀的频率稳定能力,这也是晶振成为全球电子行业主流频控方案的根本原因.但晶振并非"通用万能器件".不同品牌,不同工艺,不同等级的晶振,频控性能差距巨大.很多硬件研发项目在实验室常温调试阶段一切正常,进入高低温测试,老化测试,振动测试之后,陆续暴露出各类时序故障:蓝牙,WiFi模组远距离通信丢包率飙升,LTECat.1模组入网失败,工业总线通讯偶发断连,RTC时钟每日走时误差超标,高速以太网出现CRC校验错误,车载摄像头图像花屏,同步错乱,医疗采样数据漂移失真.大量失效复盘证明,相当一部分问题根源不是主控,射频芯片方案缺陷,而是基准晶振频率稳定度不足,在工况变化下发生频率偏移,造成接收端与发射端时序不同步.当前电子产品小型化,低功耗,宽工况,高可靠的趋势,进一步放大频控器件的设计压力.一方面PCB布局空间持续压缩,2016石英振荡器,1612,2012,3213这类微型封装成为主流;另一方面,设备工作环境跨度越来越大,消费电子,工业设备,车载产品需要面对-40℃~+85℃甚至更宽温度区间,同时伴随电源波动,电磁辐射,机械振动冲击.单纯依靠普通无源晶振搭配外置负载电容,已经很难支撑高端产品的性能指标,行业迫切需要一套兼顾高精度,低噪声,宽温稳定,高一致性的频控器件方案.HELE加高晶振扎根台系石英产业集群,从晶片研磨,角度切割,电极蒸镀,气密封装到补偿电路调试,老化筛选全流程自研自控,针对不同应用场景划分消费级,工业级,车规级产品等级,覆盖32.768KHzRTC音叉晶振到几十MHz,上百MHz高频晶振,无源,有源,温补,压控全品类齐全,成为众多硬件方案解决频率控制难题的优选器件.冠杰商行作为专业元器件代理商,同步经营NDK,HELE等主流频控品牌,可为客户提供样品测试,参数核对,定制规格,稳定供货配套服务,有相关需求欢迎来电咨询0755-27839151.

二,电子产品频率控制失效的典型诱因与危害
想要理解HELE晶振的技术价值,首先需要理清电子产品中频率指标失效的几大根源,也就是频控设计中最核心的几个参数:常温初始频偏,频率温度稳定度(温漂),相位噪声与抖动,长期老化漂移,负载牵引效应,抗振动冲击特性.第一,温度漂移(温漂),是最普遍的频控故障来源.石英晶体本身的谐振频率会随温度变化发生偏移,不同切型(AT切,BT切,音叉切)的温度曲线各不相同.普通无源晶振没有补偿机制,温度每变化一定区间,频率就会发生ppm级偏移.当射频通信模组使用的基准晶振温漂过大,发射载波偏移超出接收机带宽,就会出现信号解调失败,连接掉线;工业总线如RS485,CAN总线依靠时钟采样,频率偏移会造成采样点错位,出现数据包丢包,校验报错;RTC时钟晶振温漂超标,直接表现为时钟走快,走慢,计时精度不达标.很多低端晶振温漂可以达到±50ppm甚至±100ppm,在户外,车载,机房冷热交替环境下,性能会急剧劣化.第二,相位噪声与周期抖动,决定高速信号的纯净度.相位噪声表征载波频谱边带的噪声水平,抖动是时钟信号在时间轴上的偏差.在高速以太网,射频无线通信,高速ADC采集场景,晶振相位噪声过高,时钟边沿不稳定,会造成采样窗口偏移,信噪比下降,误码率上升.很多工程师只关注ppm频率精度,忽略相位噪声指标,导致产品常温通信正常,在干扰环境下灵敏度大幅下滑.第三,长期老化漂移.石英晶片,电极材料,封装内部应力会随着时间缓慢变化,频率缓慢偏移,也就是老化.老化指标差的晶振,出厂合格,但是运行半年,一年之后,频率慢慢飘出规格范围,设备后期批量故障,售后成本极高.工业设备,车载设备要求5~10年长期稳定,老化特性是选型的硬性门槛.第四,负载牵引与寄生参数影响.无源晶振的实际输出频率和外接负载电容强相关,PCB走线寄生电容,焊盘电容,芯片内部负载电容偏差,都会拉动频率偏移.部分品牌晶振晶片一致性差,同一批次之间负载电容敏感度差异大,导致同样原理图,不同样板频率参差不齐,量产校准困难.第五,机械振动,冲击与应力失效.在无人机,车载,手持设备中,持续振动会让晶振晶片产生微形变,谐振频率短暂跳变;封装气密性不足,内部填充气体不稳定,也会加速参数劣化,严重时直接停振.这些问题单独出现或者叠加出现,会带来分层的危害:消费产品表现为蓝牙经常断连,定位漂移;工业设备表现为通讯不稳定,测控数据不准;车载产品直接关系功能安全,时序异常会带来ADAS,车载影音,车载晶振以太网功能失效风险;医疗检测设备的时钟基准偏差,会带来采样信号失真,检测结果误差超标.想要根治这类频控问题,有两条路径:一是后端软件算法补偿,但是算法补偿有滞后性,精度上限,会增加MCU算力开销;二是从源头选用高性能晶振,依靠器件本身的物理特性与硬件补偿电路,把频率波动控制在规格之内,这也是行业主流,可靠性最高的方案.HELE加高晶振的技术研发方向,正是针对性抑制上述各类扰动因素.
三,HELE晶振核心技术体系,从底层优化频率控制性能
HELE晶振的频控优势,不是单一参数的优化,而是从石英基材,晶片精密加工,电极工艺,封装结构,补偿电路,出厂老化筛选的全链条技术体系,系统性压制温度,噪声,应力,老化带来的频率扰动.下面分模块拆解各项技术对于频率控制性能的提升机制.
精准切角与微晶研磨工艺,控制基础温漂曲线
石英晶体的温度特性,由晶体切割角度直接决定,AT切是MHz高频晶振最主流切型,音叉切用于32.768KHz低频RTC晶振.切角微小偏差,会直接改变温度-频率抛物线曲线的拐点,斜率.HELE拥有自研的晶片定向切割设备,依托成熟的角度标定工艺,把切角公差控制在极小区间,保证同批次所有晶片的温度特性曲线高度一致,从源头缩小天然温漂范围.在研磨环节,HELE采用多级精密减薄研磨工艺,根据目标频率控制晶片厚度,轮廓,减少晶片内部晶格应力.普通粗磨晶片内部残留应力,在温度变化时应力释放,带来额外频率漂移;HELE微晶工艺降低内部残余应力,晶振的热稳定性显著提升.针对32.768KHz音叉晶振,HELE优化音叉臂轮廓,把温漂控制在±2ppm/℃以内,优于行业普遍±5ppm/℃水平,非常适合高精度RTC计时场景,在智能水表,燃气表,定位追踪器,医疗监护设备中,可以做到长时间计时误差极小.AT切高频无源晶振,经过切角优化之后,常温25℃初始频偏可以稳定做到±10ppm,±20ppm,±30ppm多档规格可选,宽温-40~+85℃区间内,基础温漂曲线可控,为后续电路,温补算法打下良好基础.
低损耗电极镀膜工艺,降低相位噪声,提升Q值
晶振Q值,是决定谐振纯净度,相位噪声水平的核心指标.Q值越高,谐振损耗越低,时钟信号频谱越干净,相位噪声,抖动指标越好.电极镀膜的材料均匀度,膜厚控制,附着质量,直接影响等效串联电阻ESR与Q值.HELE采用可控真空蒸镀工艺,电极薄膜均匀性严格管控,避免局部膜厚不均带来的损耗上升,有效压低ESR,提升晶片Q值.以HELE加高晶振HSO321S为例,在100Hz偏移处相位噪声低至-135dBc/Hz,1kHz偏移处低至-150dBc/Hz,周期抖动控制在±0.8ps以内,输出时钟波形干净,杂散少,非常适合以太网PHY,射频接收前端这类对噪声敏感的场景.低相位噪声带来的直接收益,就是射频接收灵敏度提升,无线模组在弱信号环境下连接更稳定,高速串行总线误码率显著下降.对于音频类设备,低噪声晶振可以减少时钟底噪串扰,避免音频杂音,啸叫问题,在助听器,蓝牙音频耳机产品中应用优势明显.
气密加固封装技术,抑制应力,水汽,振动带来的频率偏移
封装不仅仅是保护晶片,封装引入的机械应力,封装内部水汽,气密性,都会长期改变晶振频率参数,也是老化漂移的重要来源.HELE晶振主流采用陶瓷气密封装(陶封),同时覆盖金属封装,塑封多条产品线,分级匹配不同可靠性需求.陶封结构的优势在于热膨胀系数匹配度高,温度升降时,封装壳体和晶片之间不会产生巨大的附加应力,避免应力牵引频率偏移;高气密焊接工艺,隔绝外界水汽,氧气进入腔体,防止电极氧化,晶片表面劣化,大幅拉长稳定寿命.针对车载,工业振动场景,HELE推出加固型封装方案,优化晶片支撑点结构,缓冲外部振动冲击,降低振动诱发的频率跳变.很多低成本塑封晶振气密性差,长期高温高湿环境下,水汽缓慢渗入,ESR逐步变大,频率慢慢漂移,甚至出现停振失效.HELE工业级,车规级晶振坚持气密路线,通过气密性检漏,高压蒸煮测试,验证封装可靠性,把长期老化速率控制在更低水平,保证设备多年运行频率指标不越界.
TCXO自研动态温度补偿技术,实现超宽温高精度稳频
普通无源晶振,普通SPXO有源晶振,只能依靠晶体本身的温漂特性,温度稳定度存在天然上限.当产品要求全温区±0.5ppm,±1ppm,±2ppm高精度频控指标,就必须使用TCXO温度补偿晶体振荡器,也是HELE高端频控方案的核心产品线.HELETCXO内置高精度热敏测温单元,可调变容二极管以及自研补偿运算电路.工作时,测温单元实时采集晶振内部温度,补偿电路根据预标定的温度-频率曲线,实时输出修正电压加载到变容管,微调谐振回路负载,用反向的频率偏移抵消晶体本身的温漂,实现温度变化时,输出频率基本保持恒定.不同于通用第三方补偿方案,HELE在出厂前对每一颗TCXO单品进行多点温度标定,写入对应的补偿参数,而不是统一套用一条通用曲线,单品补偿精度更高.TCXO晶振产品可以在-40℃~+85℃甚至更宽温域,实现±0.5ppm,±1ppm的超高稳定度,广泛用于户外物联网网关,定位模块,专网通信,高精度测试仪器.VC-TCXO产品叠加压控功能,支持外部电压微调频率,满足基站,同步设备需要外部锁相调频的同步场景,配合PLL锁相环完成系统时序对齐.
全流程老化与分级筛选,保证批量一致性
很多品牌晶振单颗样品指标好看,但是批量来料一致性差,A批次温漂偏小,B批次温漂超标,给硬件量产,产线校准带来巨大麻烦.HELE建立标准化老化筛选流程:晶片分选,半成品测试,封装之后高温老化,高低温循环测试,最终电参数复测,只有全部指标落在规格窗口内的产品才可以入库出货.HELE按照消费级,工业级,车规级做清晰分级,车规产品按照AEC-Q200标准认证,满足车载电子的可靠性测试要求,覆盖车载中控,BMS电池管理,ADAS辅助驾驶,车载以太网等场景,支持Grade0/Grade3不同等级宽温需求.分级体系让研发工程师可以精准选型,不会出现"选高规格造成成本浪费,选低规格无法过测试"的两难局面.
四,HELE晶振在主流电子产品中的频控性能提升落地
HELE无源晶振,SPXO,TCXO,VCXO系列覆盖绝大多数电子赛道,不同应用场景,晶振对整机频率性能的增益方向各不相同,下面分场景说明落地价值.
物联网IoT,无线通信模组(BLE,WiFi,LTECat.1,Sub-GHz)
无线通信模组的射频载波,基带解调时钟全部由晶振提供基准.如果基准频率偏移超出协议规定容限,基站,蓝牙主机就无法正确解调信号,直接出现入网失败,连接距离缩短,频繁重连.HELEHSX321S,HSX211S微型贴片无源晶振,2016,3225等小封装,适合模组高密度PCB布局,常温频偏±10~±30ppm可选,ESR一致性好,搭配负载电容之后频率可控,适合蓝牙,WiFi,Cat.1通用模组.对于户外部署,太阳能物联网设备,昼夜温差极大,直接选用TCXO温补型号,全温稳定度大幅提升,杜绝低温,高温环境下离线问题.智能水表,气表,定位标签的RTC计时,选用HELE32.768KHz音叉晶振,长期计时稳定,减少设备本地时钟偏差,降低云端时间同步频次,降低功耗.
车载电子
车载是工况最严苛的赛道之一,发动机舱,座舱温度跨度极大,同时伴随持续振动,电源纹波干扰.普通消费级晶振上车之后,高低温循环测试极易频漂超标.HELE车规级晶振通过AEC-Q200认证,宽温覆盖-40℃~+125℃,加固气密封装抗振动冲击,供给车载中控,T-BOX,BMS电池管理,车载以太网,环视摄像头,ADAS域控制器.车载以太网对时钟同步要求极高,晶振抖动,相位噪声指标直接影响AVB/TSN时间同步精度,HELE低抖动有源晶振保障多路摄像头数据时间戳对齐,避免图像拼接错位.
工业控制与自动化设备
PLC,工业网关,伺服驱动器,数据采集仪,总线IO模块依靠稳定时钟完成总线通讯,位置采样.工业现场车间冷热交替,变频器,大功率电机带来强电磁干扰.HELE工业级晶振温漂控制严格,抗干扰能力强,CANopen,Modbus,EtherCAT工业以太网场景下,稳定的时钟基准保障总线采样点准确,减少通讯报错,伺服定位漂移.高精度采集仪器,信号发生器可以选配HELE,保障采集,输出信号频率长期准确,测量数据可溯源.
医疗电子设备
心电监护仪,血氧仪,便携式诊断设备,听力辅具,对时序精度,信号纯净度双重要求.心电信号采样依靠精准时钟控制ADC采样速率,时钟漂移会造成心电波形失真,心率计算出错;助听器,音频医疗设备晶振要求极低相位噪声,避免噪声干扰微弱生理信号.HELE音叉晶振用于设备RTC计时,MHz高频晶振供给采样与射频单元,低噪声,低老化特性适配医疗产品长期稳定,低干扰的设计需求,符合医疗设备高可靠性的管控要求.
智能穿戴,TWS耳机,消费智能硬件
TWS耳机,智能手表,手环空间极小,优先选用1612,2012超微型贴片晶振,同时对功耗,体积,成本敏感.HELE微型无源晶振尺寸紧凑,起振稳定,低ESR更容易起振,降低主控内部振荡电路功耗,延长电池续航;同时相位噪声控制优秀,提升蓝牙音频连接稳定性,减少断连,音频卡顿问题.智能手表的RTC时钟依靠32.768KHz晶振,保障长时间走时准确,减少频繁网络对时.

五,HELE晶振与同类频控器件对比,选型思路与设计注意事项
很多硬件工程师在晶振选型时,只看标称频率和价格,忽略温漂,负载电容,ESR,相位噪声,老化,封装气密性等关键参数,造成后期整改返工.这里梳理HELE晶振选型逻辑,以及电路设计上如何最大化发挥它的频控性能.从品类对比来看,无源谐振器(Crystal)成本更低,适合主控自带振荡驱动电路的场景,但是频率精度受PCB负载电容影响,没有温度补偿;SPXO普通有源晶振内部集成振荡电路,不需要外部匹配电容,输出CMOS/LVCMOS时钟,上手简单,一致性更好,适合不想调试起振电路,规避负载牵引风险的项目;TCXO温补晶振成本更高,换取全温域高精度,是高精度通信,定位,仪器设备的选择;VCXO,VC-TCXO压控温补晶振支持电压调频,用于锁相同步系统.HELE同系列产品会提供多档频偏规格,比如±10ppm,±20ppm,±30ppm,以及不同温度等级:消费级-10~+60℃,工业级-40~+85℃,车规级宽温.选型的基本原则:优先根据整机过温测试要求确定温度稳定度指标,再确定封装尺寸,功耗,噪声要求,最后匹配频率,而不是反过来优先看价格.在PCB设计层面,即便选用高性能HELE晶振,不合理布局依然会吃掉频控性能:无源晶振走线要短,等长,靠近芯片XTAL引脚,远离开关电源,高速数据线;负载电容选用NPO/COG低温漂电容,不要用X7R这类温漂大的电容;晶振下方尽量不走高速信号线,电源走线,减少寄生电容与电磁串扰.HELE原厂规格书会标注推荐负载电容CL,冠杰商行技术团队可以协助客户核对负载匹配,协助解决起振异常,频偏超标的调试问题.对比日系,其他台系品牌,HELE的定位是均衡型方案:相比部分日系高端晶振,具备不错的性价比,交期更灵活;相比低端国产晶振,晶片工艺,批量一致性,老化,相位噪声指标明显占优,是很多项目降本不改性能,替换涨价进口晶振的优质备选方案.同时冠杰商行同时代理NDK,HELE等多个品牌,工程师可以在我们这里横向对比样品,做对标测试,找到最合适的频控方案.
六,供应链配套:稳定供货,技术支持,保障电子产品研发量产
再好的晶振方案,如果供货不稳定,样品获取周期漫长,也会耽误项目进度.冠杰商行深耕频率元器件代理业务,主营NDK品牌,同步配套HELE加高全系列晶振资源,覆盖无源贴片晶振,32.768KRTC晶振,SPXO有源晶振,TCXO温补晶振,VCXO压控晶振,车规级晶振,常备主流频率,主流封装现货库存,支持样品申请,小批量试产,大批量订单.我们可以配合研发团队:提供规格书核对,参数选型建议,负载匹配咨询,失效问题辅助分析;针对项目定制特殊频点,特殊温标,特殊输出电平规格的HELE晶振;同步提供NDK日系高精度晶振方案,给客户多方案对比验证.不管是消费类硬件,工业控制,车载项目的前期样品测试,还是量产阶段持续供货保障,都可以来电沟通咨询:0755-27839151.在当前元器件市场波动的大环境下,单一品牌供货存在断供,涨价风险,采用NDK+HELE双品牌备选,是很多硬件厂商常用的供应链风险对冲策略.HELE稳定的台系产能,成熟工艺,适合作为主方案或者二供备选,保障产品频率控制性能不缩水,同时兼顾成本与交期.
七,总结与展望
随着5G,6G,边缘AI,工业实时以太网,高精度定位持续发展,整机对时序同步,载波精度的要求只会持续提高,频控器件不再是简单的配套被动元器件,而是整机性能升级的核心一环.硬件研发团队在方案设计早期,就把晶振指标纳入系统仿真和测试计划,选用HELE这类工艺稳定,参数可控的频控产品,可以从源头规避大量后期高低温,老化,振动测试的时序类失效,缩短项目调试周期,降低售后返修成本.冠杰商行持续为客户提供NDK,HELE等优质频控元器件的选型,样品,供货一站式服务,助力国内硬件企业打造时序稳定,可靠性强,具备竞争力的电子产品.如果您正在为产品频率漂移,通信不稳定,时钟精度不足的问题寻找晶振方案,欢迎随时联系我们:0755-27839151,我们的技术和销售团队将结合您的整机工况,指标要求,为您匹配最合适的HELE或者NDK晶振型号.
HELE晶振全面提升电子产品频率控制性能

X3S027000BA1H-U	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	27 MHz
X3S024000B91H-HS	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	24 MHz
X3S027120BA1H-X	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	27.12 MHz
X3S032000BC1HA-CHPZ	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	32 MHz
X3S016000DI1H-HW	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	16 MHz
X3S012000FI1H-HV	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	12 MHz
X3S025000D81H-HU	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	25 MHz
X3S026000B91H-NZ	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	26 MHz
X2B026000M81H-HS	HELE加高晶振	HSX221SA	MHz Crystal	26 MHz
X2B016000BA1H-U	HELE加高晶振	HSX221SA	MHz Crystal	16 MHz
X2B012000BC1H-U	HELE加高晶振	HSX221SA	MHz Crystal	12 MHz
X2B040000BC1H-DHZ	HELE加高晶振	HSX221SA	MHz Crystal	40 MHz
X2C025000DZ1H-U	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	25 MHz
X2C032000BA1H-HZ	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	32 MHz
X2C024000DZ1H-HU	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	24 MHz
X2C016000B81H-R	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	16 MHz
X2C026000BC1H-Z	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	26 MHz
X1C032000B81H-HR	HELE加高晶振	HSX111S	MHz Crystal	32 MHz
X1C024000B81H-HV	HELE加高晶振	HSX111S	MHz Crystal	24 MHz
X2C048000L71HH-CEHZ	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	48 MHz
X2R026000BZ1HAZ-DHPZ	HELE加高晶振	HSX221SR	MHz Crystal	26 MHz
X1R038400B81HA-CEHPZ	HELE加高晶振	HSX111SR	MHz Crystal	38.4 MHz
X2U026000B81HBZ-DHPZ	HELE加高晶振	HSX211SR	MHz Crystal	26 MHz
X2R026000B91HZ-DEHPZ	HELE加高晶振	HSX221SR	MHz Crystal	26 MHz
X2R019200BZ1H-CHZ	HELE加高晶振	HSX221SR	MHz Crystal	19.2 MHz
X2U019200BZ1H-CEHQZ	HELE加高晶振	HSX211SR	MHz Crystal	19.2 MHz
X2U038400B81H-EPQZ	HELE加高晶振	HSX211SR	MHz Crystal	38.4 MHz
X1R052000B81HZ-DEHPZ	HELE加高晶振	HSX111SR	MHz Crystal	52 MHz
X12A040000BZ1H-HZ	HELE加高晶振	HSX1210A	MHz Crystal	40 MHz
X12A032000B81H-HZ	HELE加高晶振	HSX1210A	MHz Crystal	32 MHz
SSW048000I3CHE-T	HELE加高晶振	HSO321S	XO (Standard)	48 MHz
SSW050000I3CHE-T	HELE加高晶振	HSO321S	XO (Standard)	50 MHz
SSW008000I3CHE-T	HELE加高晶振	HSO321S	XO (Standard)	8 MHz
SSW024576F3CHC-T	HELE加高晶振	HSO321S	XO (Standard)	24.576 MHz
SSW010000I3CHE-T	HELE加高晶振	HSO321S	XO (Standard)	10 MHz
SSW025000I3CHE-ST7R2	HELE加高晶振	HSO321S	XO (Standard)	25 MHz
S2H048000F3CHC-T	HELE加高晶振	HSO221S	XO (Standard)	48 MHz
TC2S026000DCCHE-T	HELE加高晶振	HSB221S	TCXO	26 MHz
X3S026000B91H-NZ	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	26 MHz
X2B026000M81H-HS	HELE加高晶振	HSX221SA	MHz Crystal	26 MHz
X2B016000BA1H-U	HELE加高晶振	HSX221SA	MHz Crystal	16 MHz
X2B012000BC1H-U	HELE加高晶振	HSX221SA	MHz Crystal	12 MHz
X2B040000BC1H-DHZ	HELE加高晶振	HSX221SA	MHz Crystal	40 MHz
X2C025000DZ1H-U	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	25 MHz
X2C032000BA1H-HZ	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	32 MHz
X2C024000DZ1H-HU	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	24 MHz
X2C016000B81H-R	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	16 MHz
X2C026000BC1H-Z	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	26 MHz
X1C032000B81H-HR	HELE加高晶振	HSX111S	MHz Crystal	32 MHz
X1C024000B81H-HV	HELE加高晶振	HSX111S	MHz Crystal	24 MHz
X2C048000L71HH-CEHZ	HELE加高晶振	HSX211S	MHz Crystal	48 MHz
X2R026000BZ1HAZ-DHPZ	HELE加高晶振	HSX221SR	MHz Crystal	26 MHz
X1R038400B81HA-CEHPZ	HELE加高晶振	HSX111SR	MHz Crystal	38.4 MHz
X2U026000B81HBZ-DHPZ	HELE加高晶振	HSX211SR	MHz Crystal	26 MHz
X3S027000BA1H-U	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	27 MHz
X3S024000B91H-HS	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	24 MHz
X3S027120BA1H-X	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	27.12 MHz
X3S032000BC1HA-CHPZ	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	32 MHz
X3S016000DI1H-HW	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	16 MHz
X3S012000FI1H-HV	HELE加高晶振	HSX321S	MHz Crystal	12 MHz

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