从晶片研发，到晶振电路的设计，冠杰电子已经有了实际的技术和开发生产能力，现将一些石英晶振设计电路，匹配电容，匹配IC，振荡模式，驱动电压，驱动功率和焊接温度曲线等应用技术公布，希望在此能帮助到一些有需要的公司和设计人士。

晶振|振荡频率和负载电容（CL）

负载电容（CL）是一个确定的晶振|振荡电路的频率参数。 CL是代表一个有效的等效电容，加载从晶振|振荡电路的晶体单元的两端（见图12）。

 晶振|振荡频率会有所不同，这取决于负载电容

晶振|振荡电路。为了获得理想的频率精度，SMD晶振|振荡电路的负载电容和晶体单元之间的匹配是必需的。为使用的晶体单元，配合晶体单元的负载电容的晶振|振荡电路的负载电容。
频率温度曲线

音叉晶振的频率温度特性的负二次曲线，其中有一个高峰期在25ºC每左图所示。

请确保你所需要的温度范围和频率精度考虑，因为频率的幅度变化变得越来越大，温度范围变宽。
[频率温度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：抛物系数   T：给定的温度

             钛成交额温度的

石英晶振|振荡电路的设计概述

晶振|振荡电路设计的关键参数
驱动级（DL），晶振|振荡频率和负载电容（CL）
晶振|振荡模式，频率温度曲线
晶振驱动级（DL）

晶体单元的驱动器的运行功率或电流消耗水平（参见图9,10和11）所示。晶体单元操作的权力过大，水平，将导致其特点，这可能会导致晶体芯片的频率不稳定或物理故障的退化。你的电路设计在绝对最大驱动电平。

振荡津贴

为了确保稳定的振荡电路的负电阻应该显着高于等效串联电阻较大的（振荡津贴是大）。确保振荡津贴，是至少5倍的等效串联电阻大。
振荡津贴的评价方法
加入电阻“RX”系列表晶单元，并确保该振荡启动或停止。近似的负阻电路是通过增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振荡启动或停止后，逐渐使Rx值较大时，得到的值。
负阻 - R的|= RX+复
|-R的是一个至少5倍作为最大的晶体单元的等效串联电阻（R1的最大值）。大的价值。
* Re为振荡过程中的有效电阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2

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