CSX532T20.000M3-UT10温补晶振CSX325T26.000M2-UT10温补晶体振荡器CSX532T16.800M3-UT10贴片晶振CSX325T13.000M3-UT10贴片晶振CSX532T13.000M2-UT10温补晶振CSX750VCB8.000M-UT压控晶振CSX325T33.600M2-UT10日本进口晶振CSX532T19.200M3-UT10石英晶振CSX-750VKBL24576000T电压控制晶振CSX-750VKBL4096000T压控晶振CSX325T38.400M3-UT10石英晶体振荡器CSX325T33.600M3-UT10贴片晶振CSX325T16.000M3-UT10石英晶体振荡器CSX532T19.200M2-UT10温补晶体振荡器CSX532T26.000M3-UT10石英晶体振荡器CSX-750VKBL24704000T压控晶体振荡器CSX-750VKBL8000000T电压控制晶振CSX750VCB24.704M-UT压控晶体振荡器CSX325T38.400M2-UT10石英晶振CSX532T16.3676M2-UT-10温补晶振CSX-750VKBL25000000T进口VCXO晶振CSX750VCB32.000M-UT进口VCXO晶振CSX-750VKBL12288000T进口VCXO晶振CSX750VCB35.328M-UT压控晶振CSX532T13.000M3-UT10日本进口晶振CSX325T26.000M3-UT10西铁城TCXO晶振CSX532T12.800M2-UT10温补晶振CSX532T24.5535M2-UT-10温补晶体振荡器CSX-750VKBL32000000T电压控制晶振CSX-750VKBL12352000T压控晶振CSX750VCB25.000M-UT电压控制晶振CSX-750VKBL32768000T压控晶体振荡器

     CSX750VCB12.288M-UT压控晶体振荡器CSX532T13.000M1-UT10温补晶体振荡器CSX-750VKBL35328000T进口VCXO晶振CSX-750VKBL16384000T压控晶体振荡器CSX750VCB13.500M-UT进口VCXO晶振CSX532T16.000M2-UT10西铁城TCXO晶振CSX-750VKBL19440000T进口VCXO晶振CSX532T16.3676M3-UT-10温度补偿晶振CSX-750VKBL27000000T压控晶振CSX750VCB19.440M-UT电压控制晶振CSX325T16.000M2-UT10石英晶振CSX532T16.800M2-UT10温度补偿晶振CSX-750VKBL20000000T压控晶振CSX750VCB8.192M-UT电压控制晶振CSX532T19.680M3-UT10贴片晶振CSX750VCB27.000M-UT压控晶体振荡器CSX750VCB12.352M-UT压控晶体振荡器CSX532T19.800M2-UT10石英晶振CSX325T13.000M2-UT10日本进口晶振CSX325T19.200M2-UT10温补晶振CSX532T26.000M2-UT10西铁城TCXO晶振CSX750VCB32.768M-UT进口VCXO晶振CSX750VCB16.384M-UT进口VCXO晶振CSX532T20.000M2-UT10石英晶体振荡器CSX325T19.200M3-UT10石英晶体振荡器CSX-750VKBL8192000T压控晶体振荡器CSX750VCB20.000M-UT压控晶振CSX750VCB24.576M-UT电压控制晶振CSX532T26.000M1-UT10温度补偿晶振CSX750VCB4.096M-UT压控晶振CSX532T16.000M3-UT10日本进口晶振CSX-750VKBL13500000T电压控制晶振CSX532T12.800M3-UT10温度补偿晶振CSX532T24.5535M3-UT-10西铁城TCXO晶振