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FJ2500009,台产高频晶振,FJ系列晶振,百利通亚陶电子
FJ2500009,台产高频晶振,HX系列晶振,百利通亚陶电子,物料编码为FJ2500009,型号为FJ系列晶振,频率为25MHZ,输出为LVCMOS,电压为3.3V,精度为±25ppm,工作温度范围为-40℃~85℃,尺寸为2.5*2.00mm,晶振厂家,台产高频晶振,OSC晶振,贴片晶振,四脚晶体,差分晶振,LVCMOS石英晶振,石英晶体振荡器,SMD晶振,百利通亚陶电子,2520振荡器,2520石英晶体,有源晶体振荡器,特点:低电压,低抖动,低耗能,低相噪,应用在智能手机,智能电脑,智能手环,平板电脑等产品上。
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FN1000055,7050石英晶体,石英晶体振荡器
FN1000055,7050石英晶体,石英晶体振荡器,物料编码为FN1000055,型号为FN,频率为10MHZ,输出为CMOS,电压为3.3V,精度为±50ppm,工作温度范围为-20℃~70℃,尺寸为7.0*5.0mm,晶振厂家,台产晶振,OSC晶振,CMOS石英晶振,SMD晶振,百利通亚陶晶振,7050振荡器,7050石英晶体,有源晶体振荡器,石英晶体振荡器,贴片晶振,四脚晶体,特点:低电源电压,低损耗,低耗能,低衰减,应用在智能空调,智能洗衣机,智能微波炉,智能电饭煲等产品上。
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FNSTB1027,台产百利通亚陶晶振,四脚贴片晶振
FNSTB1027,台产百利通亚陶晶振,四脚贴片晶振,物料编码为FNSTB1027,型号为FN系列晶振,频率为27MHZ,输出为CMOS,电压为3.3V,精度为±30ppm,工作温度范围为-20℃~70℃,尺寸为7.0*5.0mm,晶振厂家,台产晶振,贴片晶体,四脚晶体,SMD晶振,百利通亚陶晶振,7050振荡器,7050晶振,有源晶体振荡器,石英晶体振荡器,XO晶振,CMOS晶振,特点:低抖动,低差损,低电压,高性能,高精度,应用在游轮,卫星发射塔,广播电视信号塔,工业设备等产品上。
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FN5000121,FN系列晶振,7050石英晶振,有源晶体振荡器
FN5000121,FN系列晶振,7050石英晶振,有源晶体振荡器,物料编码为FN5000121,型号为FN系列晶振,频率为50MHZ,输出为LVCMOS,电压为3.3V,精度为±50ppm,工作温度范围为-20℃~70℃,尺寸为7.0*5.0mm,高频晶振,晶振厂家,台产晶振,贴片晶振,四脚晶体,SMD晶振,百利通亚陶晶振,7050振荡器,7050石英晶振,有源晶体振荡器,石英晶体振荡器,XO晶振,LVCMOS晶振,差分晶振,特点:低抖动,低差损,低电压,高性能,高精度,应用在海上军舰,潜艇,海上摩托艇,智能空调等产品上。
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FKA000018Z,高频晶振,台产百利通亚陶晶振,3225晶振
FKA000018Z,高频晶振,台产百利通亚陶晶振,3225晶振,物料编码为FKA000018Z,型号为FK系列晶振,频率为100MHZ,输出为LVCMOS,电压为1.8V,精度为±50ppm,工作温度范围为-40℃~85℃,尺寸为3.2*2.5mm,高频晶振,有源晶体振荡器,四脚晶体,SMD晶振,百利通亚陶晶振,3225振荡器,3225贴片晶振,石英晶体振荡器,SPXO晶振,LVCMOS晶振,差分晶振,晶振厂家,台产进口晶振,贴片晶振,特点:小型,轻型,薄型,高性能,高精度,应用在微型录音笔,智能点读机,智能点读笔,微型摄像头等产品上。
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FK5000056Q,百利通亚陶晶振厂家,3225石英晶体振荡器
FK5000056Q,百利通亚陶晶振厂家,3225石英晶体振荡器,物料编码为FK5000056Q,型号为FK,频率为50MHZ,输出为CMOS,电压为1.8V,精度为±25ppm,工作温度范围为-40℃~85℃,尺寸为3.2*2.5mm,3225石英晶体振荡器,3225晶振,SPXO晶振,CMOS晶振,晶振厂家,台产进口晶振,贴片晶振,有源晶体振荡器,四脚晶体,SMD晶振,百利通亚陶晶振厂家,特点:高质量,高品质,高性能,应用在智能手机,智能电脑,智能电视机,智能玩具等产品上。
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FK2500067,FK系列晶振,百利通亚陶振荡器,LVCMOS晶振
FK2500067,FK系列晶振,百利通亚陶振荡器,LVCMOS晶振,物料编码为FK2500067,型号为FK,频率为25MHZ,输出为LVCMOS,电压为3.3V,精度为±50ppm,工作温度范围为-40℃~105℃,尺寸为3.2*2.5mm,有源晶体振荡器,四脚晶体,SMD晶振,百利通亚陶晶振,3225晶振,石英晶体振荡器,差分晶体,LVCMOS晶振,晶振厂家,台产进口晶振,贴片晶振,特点:高精度,高品质,小型,轻型,薄型,应用在激光机,磁共振,智能温度计,智能体重计,脑电波等产品上。
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FD1200028,有源晶振,百利通亚陶电子,石英晶体振荡器
FD1200028,有源晶振,百利通亚陶电子,石英晶体振荡器,物料编码为FD1200028,型号为FD,频率为12MHZ,输出为CMOS,电压为3.3V,精度为±50ppm,工作温度范围为-20℃~70℃,尺寸为5.0*3.2mm,百利通亚陶电子,5032晶振,石英晶体振荡器,XO晶振,晶振厂家,有源晶振,台产进口晶振,有源晶体振荡器,四脚晶体,SMD晶振,贴片晶振,特点:高精度,高品质,小型,轻型,薄型,应用在肌电图,心电图,脑电图,CT,B超等产品上。
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FD0800013,百利通亚陶石英晶振,台产进口晶体,有源晶体振荡器
FD0800013,百利通亚陶石英晶振,台产进口晶体,有源晶体振荡器,物料编码为FD0800013,型号为FD,频率为8MHZ,输出为CMOS,电压为3.3V,精度为±50ppm,工作温度范围为-40℃~85℃,尺寸为5.0*3.2mm,百利通亚陶石英晶振,台产进口晶体,有源晶体振荡器,5032mm晶振,石英晶体振荡器,OSC晶振,晶振厂家,四脚晶体,贴片晶振,特点:小型,轻型,薄型,高精度,高品质,应用在智能保温杯,智能玩具,智能手表,智能手环等产品上。
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FD0400028Q,FD系列晶振,5032石英晶体振荡器
FD0400028Q,FD系列晶振,5032石英晶体振荡器,物料编码为FD0400028Q,型号为FD系列晶振,频率为4MHZ,输出为CMOS,电压为5V,精度为±50ppm,工作温度范围-40℃~85℃,尺寸为5.0*3.2mm,四脚贴片,石英晶振,5032石英晶体振荡器,5032晶振,SPXO晶振,晶振厂家,百利通亚陶晶振,台产晶振,具有轻薄小,高性能,高质量等特点,广泛应用在车载导航,车载雷达,车载安全控制系统,车载显示系统等。
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FL3200037,台产百利通亚陶晶振,石英晶体谐振器
FL3200037,台产百利通亚陶晶振,石英晶体谐振器,物料编码为FL3200037,型号为FL晶振,频率为32MHz,精度为±15ppm,负载电容为8pF,尺寸为3.2*2.5mm,工作温度为-20℃~70℃,四脚贴片晶振,石英晶体谐振器,台产晶振,3225晶振,台产晶振,无源晶振,百利通亚陶晶振,石英晶振,被应用在机顶盒,DVD,无线电源,5G网域,6G网域等产品。
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FL1200112,四脚贴片晶振,石英晶体谐振器,3225贴片晶振
FL1200112,四脚贴片晶振,石英晶体谐振器,3225贴片晶振,物料编码为FL1200112,型号为FL晶振,频率为12MHz,精度为±30ppm,负载电容为18pF,工作温度范围为-40℃~85℃,尺寸为3.2*2.5mm,SMD晶振,晶振厂家,四脚贴片晶振,台产晶振,无源晶振,百利通亚陶晶振,石英晶振,石英晶体谐振器,台产晶振,3225贴片晶振,超小型,轻薄型,高性能,高温度等优势,被应用在激光机,B超,肌电图,脑电图,心电图等医疗设备上。
新闻资讯
Wenzel文泽尔OCXO振荡器老化和保质期缓解策略
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Wenzel文泽尔OCXO振荡器老化和保质期缓解策略【更多详情】
恒温晶体振荡器(OCXOs)是射频和微波应用中的关键元件,提供频率控制和时序参考。然而,OCXOs会老化,随着时间的推移,频率性能会发生变化。虽然微机电系统(MEMs)等频率控制和时序器件不会老化,但OCXO石英晶振是要求频率精度和超低相位噪声的应用的理想选择。在这篇博客中,我们概述了OCXO老化、保质期和几种缓解策略。让我们开始吧!
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- 2022-07-05 具有超低低抖动性能的时钟振荡器,专为通信系统设计HX7011C0020.000000,ECERA品牌
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- 2022-06-29 超薄型CM9V-T1A 0.3,CM9V-T1A0.3 32.768kHz12.5pF±20ppmTAQC,1610mm晶振
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- 2022-07-27 低抖动精细的压控晶体振荡器是ECS公司具有创意之作ECXV-P35B2N-24.000
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- 2022-06-15 PI6C4853111是一款高性能低偏移1至10的LVPECL扇出缓冲器,FW2500016Z,差分晶体振荡器
- 2022-07-28 IQD推出IQXO-923系列HCMOS的超低频稳定时钟振荡器,LFXTAL062558REEL,小体积晶振
- 2022-07-22 艾博康的环保有源振荡器ASTMHTV-16.000MHZ-ZJ-E,广泛用于航空电子设备应用
- 2022-07-05 4焊盘FL系列接缝密封装置石英晶体,FL3000037,FL2400067,3225mm贴片晶振,ECERA晶振
- 2022-05-21 RPT1490LN用于5G RRU和小型蜂窝的超低噪声(ULN)时钟参考应用TCXO
- 2022-05-18 适用于ADAS应用的长效AECQ100MHZ-SMD汽车硅振荡器
- 2022-07-26 伊西斯高质量的贴片型TCXO温补振荡器ECS-TXO32-S3-33-200-BN-TR,适用于纳米电池
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