IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振

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IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振

频率：15.476MHz to 866.67MHz ，975MHz to 1,300MHz 尺寸：7.0*5.0mm 差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,

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IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振，小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内 2GGCS IDT-2

型号		8N4DV85(VCXO)
输出频率范围		15.476MHz to 866.67MHz ， 975MHz to 1,300MHz
电源电压范围		2.5 to 3.3V
电源电压（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待机时电流		-请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	温度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	负载变化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10^-6 max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	频率控制极性	正极性

8N4DV85 7050 VCXO LVDS 4ZYSX IDT-4

PCB设计指导

(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于石英晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。

(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。

(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。

(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。

存储事项

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。
正常温度和湿度：
温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。IDT晶振,LVDS输出晶振,8N4DV85晶振 5HBFZ

IDT 晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.

集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.

IDT 晶振集团将在各领域内的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.

IDT晶振集团尽可能的采用无害的石英晶振,贴片晶振,压电石英晶体原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用. 6LXFS IDT-6

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