CTS晶振,有源晶振,VF561晶振
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
CTS晶振,有源晶振,VF561晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频差分晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
型号 |
参数 |
|
输出频率范围 |
15-300MHZ |
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标准频率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
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电源电压范围 |
+2.5v~+5.0V |
|
电源电压(Vcc) |
+2.5V/+3.3V/+5.0V |
|
消耗电流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
|
待机时电流 |
- |
|
输出电压 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
输出负载 |
10kΩ//10pF |
|
频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
温度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ |
|
电源电压特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
负载变化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
长期变化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
频率控制 |
控制灵敏度 |
- |
频率控制极性 |
- |
|
启动时间 |
2.0ms max. |
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。
线路连接的有源晶振电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。
(3)振荡期间测量R的值。
(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力
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CTS晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客,SMD石英晶振系统进行环境管理。并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动。
CTS晶振集团为确保安全、提高保护预防措施、压控晶振的可靠性以及职业安全, 石英晶体振荡器通过正式的管理评审和对健康、安全和环境实施效果的持续改进,保护人群及财产与环境。
CTS晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标,定期进行内审和管理评审。
不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染。
在设定环保目的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。OSC水晶振荡子或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效。
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