低消耗石英贴片晶振,SMD有源晶振,VF561E晶振

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CTS晶振,有源晶振,VF561E晶振

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

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产品相关资料

CTS晶振,有源晶振,VF561E晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术：是超小型、超低频差分晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题，为压电石英晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式，通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除，而KDS晶振晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。

型号		参数
输出频率范围		19-300MHZ
标准频率		16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
电源电压范围		+2.5v~+5.0V
电源电压（Vcc）		+2.5V/+3.3V/+5.0V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待机时电流		-
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	温度特性	±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±0.5×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	负载变化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10^-6 max./year
频率控制	控制灵敏度	-
	频率控制极性	-
启动时间		2.0ms max.

VF561 9-14 OSC

一般来说，微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：

镉和CG是外部负载电容，其中已建成的芯片组。（请参阅芯片组的规格）

Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。

Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用于具有高电源电路。

一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。

例如，为了获得稳定的振荡电路中，IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。

线路连接的有源晶振电阻（R）与晶体串联

（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。

（3）振荡期间测量R的值。

（4）你将能够获得负电阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力

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