微晶晶振,微晶32.768K晶振,DS26晶振

微晶晶振,微晶32.768K晶振,DS26晶振,微晶晶振已经发展成为一家在微型音叉式石英晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟模块、晶振和OCXO晶体振荡器,有源晶振等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持,石英晶振的切型,采用高速线切割技术:1.优化及严格规范线切割机各项设备参数;2.通过试验精选所使用的各类线切割料,如:磨料,线切割线,槽轮等;3.确认最优的石英晶振切割工艺参数.
瑞士微晶减少污染物排放,对不可再生的资源进行有效利用.减少废物的产生,对其排放的责任进行有效管理,有效地使用能源.通过设计工艺程序对员工进行培训保护环境以及人们的健康和安全.

|
微晶晶振规格 |
单位 |
微晶晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出标准说明,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |

耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
(1)柱面式产品和DIP产品
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晶振产品类型 |
晶振焊接条件 |
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插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下 |
手工焊接+300°C或低于3秒钟 |
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SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
(2)SMD产品回流焊接条件图
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.
微晶晶振使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用石英晶振.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝露的产生.
微晶晶振激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容).
微晶晶振负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
微晶晶振负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
微晶晶振推进晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压电石英晶体、有源晶体等元器件的环保型业务,充分发挥综合实力,推进环保型业务,为减轻社会的环境负荷做出贡献.
微晶晶振建立环境管理系统,充分运用环境管理系统,设定环境目的和目标,定期修正,不断改善,努力预防环境污染.
微晶晶振按照IS014001标准的要求,建立环境管理体系,并在环境目标和方案设定之后追求持续的环境改善.
微晶石英晶体谐振器建立和遵守其严格的基于活动所在地法律法规的环境、安全和健康标准.将不断地扩展循环利用、能源和废弃物管理项目.
微晶晶振保持就健康安全环境问题与临近摄取进行对话.通过在环境控制方面实施优秀的管理实践,以保护环境和与强生公司全球运作相关的自然资源.向员工灌输环境价值观,在所有的石英晶振,晶体振荡器,石英晶体谐振器等产品和生产过程中应用最佳环境实用技术,为全球可持续发展做出贡献.
联系人:李玉龙
电话:86-0755-27839151
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