日蚀晶振,贴片晶振,EH2600ETTS-33M晶振
普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
日蚀晶振,贴片晶振,EH2600ETTS-33M晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
牵引范围(VCXO):是针对VCXO压控晶振的参数。
带有压控功能的晶振为(VCXO),即32.768KHZ晶振通过调节控制电压改变输出频率。牵引范围为变化频率(增大或减少)与中心频率的比值。此值一般用ppm表示。通常牵引范围大约为100 - 200ppm,取决于VCXO压控晶振的结构和所选择的晶体。
日蚀晶振规格 |
单位 |
晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
33MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
如果由频率计数器测量的频率比目标频率高,要增加石英晶振的电容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低频率到目标频率,反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善,这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该贴片晶振应正常后,谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率,我们可以通过以下三种方法改进:
方法1:降低产品线路外部电容(Cd和CG)的值,并通过晶体具有较低负载电容(CL)。
方法2:采用小电阻(RR)的石英晶体。
方法3:使用镉和CG的不等价的设计。
我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本,保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体,以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格,请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率,反之亦然高得多系统不能正常工作,由于输出频率会偏差很大。
日蚀晶振,贴片晶振,EH2600ETTS-33M晶振
日蚀晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的SMD晶振遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.
集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.尽可能的采用无害的石英晶振, 晶体振荡器,有源晶振压电石英晶体元器件、7050mm贴片晶振的原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.
根据需要,提高环境技术、材料和晶振晶体,石英晶体振荡器产品的发展信息及环境管理活动的公开性.日蚀晶振公司将有效率的使用自然资源和能源,以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.
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