高利奇晶体振荡器,3225晶振,GFO-3301晶振

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高利奇晶振,32.768K晶振,GFO-3301晶振

频率：32.768KHZ 尺寸：3.2*2.5mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

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GL-1

高利奇晶振,32.768K晶振,GFO-3301晶振，贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。

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项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	32.768KHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	3.3 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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GFO-3301

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有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。

机械处理

当有源晶振发生外置撞击时，任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时，或者产品不小心跌落时，强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏，或者频率不稳定现象。不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。

如果一个强大的冲击已经给振荡器确保

在使用前检查其特点。

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高利奇温补晶振环保理念

高利奇石英晶振公司进一步解放思想,学习先进,总结实践,针对新形势、新情况,抓好理念创新,促进安全环保工作更加科学、更加有效.

高利奇石英晶振公司坚持运用,不断完善,持续改进压电石英晶体元器件、晶振,石英晶振,压电石英晶体、有源晶体生产技术,更要针对新情况、新问题,不断学习先进,总结经验,结合实际,及时改进旧方法,勇于摈弃落后方法.

高利奇石英晶振公司要积极开展安全经验分享活动,让每一个单位、每一个人的经验和教训变成大家的经验,成为企业的财富.高利奇晶振,32.768K晶振,GFO-3301晶振

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