NDK晶振,贴片晶振,NX2012SA晶振
NDK晶振,贴片晶振,NX2012SA晶振,贴片石英晶体谐振器,又简称为排带包装,这是这产品采用排带盘式包装,使产品在焊接时能采用SMT自动贴片机高速的焊接,大大节约人工,提高工作效率.32.768KHz千赫子时钟晶体,其本身主要应用在时钟控制产品,或者是控制模块,主要给时钟芯片提供一个基准信号,其主要各项功能还得看应用何种产品.
日本电波工业株式NDK晶振经营范围:晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售。作为世界一流厂家的使命和责任,要始终在行业中起带头作用。抢先取得社会需求,为客户提供高质量的服务与晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振。追求使用更方便、更稳定的发振源,创造更高的附加价值。不畏失败,向困难挑战,努力培养出能自我开发的人才。
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
NDK晶振规格 |
单位 |
NX2012SA晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用NDK石英晶振时应该注意的事项:
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.NDK晶振,贴片晶振,NX2012SA晶振
日本电波工业株式NDK晶振已经建立和正在推动一项中期计划的具体减排目标,以减少二氧化碳的排放是全球变暖的原因。它也有助于减少(抑制)CO2排放量,通过使用最先进的技术,实现最小化,以及减少石英晶体谐振器,石英晶体的重量和功耗,以支持社会的需要。
日本电波工业株式NDK晶振的新概念的温补晶振,NDK石英晶体振荡器器件。通过产品生命周期提高整体节能贡献和环境绩效的举措。制造-环境友好生产—优化-提高性能/效率的节能贡献—通过制造致密/复杂产品减少资源节约—环境消除/减少环境负荷物质—这些是倡议的支柱。
制造业-环保生产—我们将介绍一些情况下,发现CO2排放量的产品生命周期使用环境LCA方法。
日本电波工业株式NDK晶振所说的LCA指的是“生命周期评估”,它包括评估产品的寿命。在这里,产品的生命不仅仅是产品本身的制造阶段,而是包括原料组成产品的零件/材料的开采阶段,包括产品的制造阶段,销售阶段,包括到产品交付给用户使用的阶段,包括产品使用由用户和维修/维护参与它,和处置阶段,通过用户废弃产品回收,回收或处置。在ISO14000系列环境标准中也建立了国际标准。
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