GolledgeCrystal,石英晶体振荡器,RV2123C2晶振
GolledgeCrystal,石英晶体振荡器,RV2123C2晶振,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
项目 |
符号 |
RV2123C2规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
32.768kHz ~ 1Hz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.31V to 5.5 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶振/石英晶体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。GolledgeCrystal,石英晶体振荡器,RV2123C2晶振
高利奇温补晶振环保理念
高利奇石英晶振公司通过BSI质量保证,获得了ISO 9001:2015的认证.BSI是世界领先的认证机构之一.自我们于1996年在ISO 9002 - 1994的原始认证以来,每一项评估都显示出一份清洁的健康法案,没有不一致的情况.
作为世界领先的石英晶振,贴片晶振, 石英晶体谐振器,石英晶体供应商,高利奇晶振公司敏锐地意识到我们的责任,确保我们的产品不受有害物质和高度关注的物质的影响,而且所有的部件材料都是由无冲突地区负责的.
高利奇石英晶振公司认真对待环境,管理环境管理系统,并将其重新编码到ISO14001.我们的环境政策,作为我们不断改进的动力的一部分,我们也鼓励员工在生活的各个方面都意识到他们对环境的影响.
联系人:李玉龙
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有源晶振产品适用于范围比较广泛,常常用于超声波/SDH,网络,SD/HD视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域.Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振.
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