X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振
X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振,物料编码为X1G0042010006,型号为TG-5006CE系列晶振,频率为16.367667MHz,输出为Clipped sine wave,电压范围为1.7V-1.9V,精度为±2ppm,工作温度范围为-30℃~85℃,日产爱普生进口晶振,3225贴片晶振,3225振荡器,3225温补晶振,晶振厂家,石英晶振,四脚晶振,有源晶振,SMD晶振,爱普生晶体,特点:轻型,小型,薄型,高精度,高品质,高性能等,被广泛应用在汽车显示系统,汽车控制系统,汽车安全系统等产品。
X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振
参数表
型号
TG-5006CE
频率
16.367667 MHz
精度
±2ppm
输出
Clipped sine wave
工作温度
-30℃-85℃
电压
3.2*2.5mm
X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振
物料编码 | 型号 | 频率 | 有源晶振 | 输出 | 电压 | 精度 | 工作温度 |
X1G0042010006 | TG-5006CE | 16.367667 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 1.700 to 1.900 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010008 | TG-5006CE | 16.369000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 1.700 to 3.300 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010010 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 1.700 to 3.300 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010013 | TG-5006CE | 16.367667 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 1.700 to 3.300 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010017 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 1.700 to 3.300 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010020 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 2.660 to 2.940 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010023 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 1.700 to 3.465 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010025 | TG-5006CE | 32.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 1.700 to 3.300 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010026 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 2.660 to 2.940 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010032 | TG-5006CE | 20.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010009 | TG-5006CE | 19.200000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 2.850 to 3.150 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010033 | TG-5006CE | 25.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 2.850 to 3.150 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010062 | TG-5006CE | 32.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 2.850 to 3.150 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0042010063 | TG-5006CE | 16.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | 1.710 to 1.890 V | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C |
X1G0051610002 | TG2520CEN | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610007 | TG2520CEN | 32.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.500 to 3.300 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610009 | TG2520CEN | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610011 | TG2520CEN | 16.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.500 to 3.300 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610012 | TG2520CEN | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610013 | TG2520CEN | 48.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 3.000 to 3.600 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610014 | TG2520CEN | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610015 | TG2520CEN | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610019 | TG2520CEN | 38.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610022 | TG2520CEN | 12.288000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610023 | TG2520CEN | 12.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
X1G0051610025 | TG2520CEN | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 2.375 to 3.630 V | +/-2.0 ppm | -40 to ++85 °C |
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