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X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

频率为16.367667MHz,尺寸为3.2*2.5mm
X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振,物料编码为X1G0042010006,型号为TG-5006CE系列晶振,频率为16.367667MHz,输出为Clipped sine wave,电压范围为1.7V-1.9V,精度为±2ppm,工作温度范围为-30℃~85℃,日产爱普生进口晶振,3225贴片晶振,3225振荡器,3225温补晶振,晶振厂家,石英晶振,四脚晶振,有源晶振,SMD晶振,爱普生晶体,特点:轻型,小型,薄型,高精度,高品质,高性能等,被广泛应用在汽车显示系统,汽车控制系统,汽车安全系统等产品。
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EP-1

X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振,物料编码为X1G0042010006,型号为TG-5006CE系列晶振,频率为16.367667MHz,输出为Clipped sine wave,电压范围为1.7V-1.9V,精度为±2ppm,工作温度范围为-30℃~85℃日产爱普生进口晶振,3225贴片晶振,3225振荡器,3225温补晶振,晶振厂家,石英晶振,四脚晶振,有源晶振,SMD晶振,爱普生晶体,特点:轻型,小型,薄型,高精度,高品质,高性能等,被广泛应用在汽车显示系统,汽车控制系统,汽车安全系统等产品。

EP-2

X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

参数表
型号 TG-5006CE
频率 16.367667 MHz
精度 ±2ppm
输出 Clipped sine wave
工作温度 -30℃-85℃
电压 3.2*2.5mm

EP-3

X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

TG-5006CE CG CJ

TG-5035CE TG-5035CJ TG-5035CG 1

物料编码 型号 频率 有源晶振 输出 电压 精度 工作温度
X1G0042010006 TG-5006CE 16.367667 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010008 TG-5006CE 16.369000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 1.700 to 3.300 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010010 TG-5006CE 26.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 1.700 to 3.300 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010013 TG-5006CE 16.367667 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 1.700 to 3.300 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010017 TG-5006CE 26.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 1.700 to 3.300 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010020 TG-5006CE 26.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 2.660 to 2.940 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010023 TG-5006CE 26.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 1.700 to 3.465 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010025 TG-5006CE 32.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 1.700 to 3.300 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010026 TG-5006CE 26.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 2.660 to 2.940 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010032 TG-5006CE 20.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010009 TG-5006CE 19.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 2.850 to 3.150 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010033 TG-5006CE 25.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 2.850 to 3.150 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010062 TG-5006CE 32.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 2.850 to 3.150 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0042010063 TG-5006CE 16.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 0.90 mm Clipped sine wave 1.710 to 1.890 V +/-2.0 ppm -30 to +85 °C
X1G0051610002 TG2520CEN 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610007 TG2520CEN 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.500 to 3.300 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610009 TG2520CEN 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610011 TG2520CEN 16.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.500 to 3.300 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610012 TG2520CEN 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610013 TG2520CEN 48.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 3.000 to 3.600 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610014 TG2520CEN 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610015 TG2520CEN 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610019 TG2520CEN 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610022 TG2520CEN 12.288000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610023 TG2520CEN 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G0051610025 TG2520CEN 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm -40 to ++85 °C
EP-6

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