X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

当前位置：首页 » 进口晶振 » 爱普生晶振 » X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

prevnext

X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

频率为16.367667MHz，尺寸为3.2*2.5mm

X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振，物料编码为X1G0042010006，型号为TG-5006CE系列晶振，频率为16.367667MHz，输出为Clipped sine wave，电压范围为1.7V-1.9V，精度为±2ppm，工作温度范围为-30℃~85℃，日产爱普生进口晶振，3225贴片晶振，3225振荡器，3225温补晶振，晶振厂家，石英晶振，四脚晶振，有源晶振，SMD晶振，爱普生晶体，特点：轻型，小型，薄型，高精度，高品质，高性能等，被广泛应用在汽车显示系统，汽车控制系统，汽车安全系统等产品。

订购热线：0755-27839151

EP-2

X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

参数表
型号	TG-5006CE
频率	16.367667 MHz
精度	±2ppm
输出	Clipped sine wave
工作温度	-30℃-85℃
电压	3.2*2.5mm

EP-3

X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

TG-5006CE CG CJ

物料编码	型号	频率	有源晶振	输出	电压	精度	工作温度
X1G0042010006	TG-5006CE	16.367667 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	1.700 to 1.900 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010008	TG-5006CE	16.369000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	1.700 to 3.300 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010010	TG-5006CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	1.700 to 3.300 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010013	TG-5006CE	16.367667 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	1.700 to 3.300 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010017	TG-5006CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	1.700 to 3.300 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010020	TG-5006CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	2.660 to 2.940 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010023	TG-5006CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	1.700 to 3.465 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010025	TG-5006CE	32.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	1.700 to 3.300 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010026	TG-5006CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	2.660 to 2.940 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010032	TG-5006CE	20.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	3.135 to 3.465 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010009	TG-5006CE	19.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	2.850 to 3.150 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010033	TG-5006CE	25.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	2.850 to 3.150 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010062	TG-5006CE	32.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	2.850 to 3.150 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0042010063	TG-5006CE	16.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	1.710 to 1.890 V	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C
X1G0051610002	TG2520CEN	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610007	TG2520CEN	32.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.500 to 3.300 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610009	TG2520CEN	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610011	TG2520CEN	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.500 to 3.300 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610012	TG2520CEN	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610013	TG2520CEN	48.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610014	TG2520CEN	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610015	TG2520CEN	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610019	TG2520CEN	38.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610022	TG2520CEN	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610023	TG2520CEN	12.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G0051610025	TG2520CEN	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	2.375 to 3.630 V	+/-2.0 ppm	-40 to ++85 °C

联系人：李玉龙

电话：86-0755-27839151

手机：13828756848

QQ:987260611

邮箱：guanjiedz@163.com

www.guanjiedz.com

地址：深圳市宝安区中心区商都赛格电子大厦1C48

X1G0042010006 TG-5006CE系列晶振日产爱普生进口晶振

订购：X1G0042010006,TG-5006CE系列晶振,日产爱普生进口晶振

*联系人：
*手机：
公司名称：
邮箱：
电话：
地址：
*订购意向：
*验证码：

跟此产品相关的产品 / Related Products

: ABM8G-14.7456MHz18-D2Y-T,3225陶瓷贴片晶振,WiFi通信晶振; ABM8G-14.7456MHz18-D2Y-T,3225陶瓷贴片晶振,WiFi通信晶振,尺寸3.2×2.5mm,14.7456MHz通用通信基准频率,专为WiFi路由器,无线AP设备打造.标配18pF负载电容,常温精度±20ppm,工作温区-40℃~85℃,路由器长时间满载发热工况下频率漂移控制优良.采用真空玻璃密封工艺,隔绝主板电源芯片电磁杂波,优化相位噪声表现,保障2.4G/5G双频WiFi数据收发时序同步,降低网络卡顿,掉线概率.

: E3SB24.0000F12E11,物联网设备晶振,Hosonic鸿星电子晶振; E3SB24.0000F12E11,物联网设备晶振,Hosonic鸿星电子晶振,3225贴片晶振标准化小型封装完美适配物联网设备紧凑PCB布局,24MHz基准频率完美匹配IoT主控,无线射频芯片振荡电路.采用基频石英晶片工艺,波形纯净无杂波干扰,保障WiFi,蓝牙,LoRa远距离通信时序同步,有效减少物联网设备信号掉线,传输卡顿问题.宽温工业规格适配户外露天监测终端,密闭室内智能中控设备,四季温度波动下稳定起振,四焊盘无引线结构焊接牢固,耐受无铅回流焊高温冲击,长期震动工况不易虚焊脱落.

: SG-8018CE24.000000MHzTJHPA,3225宽温晶振,EPSON振荡器; SG-8018CE24.000000MHzTJHPA,3225宽温晶振,EPSON振荡器,专为网络传输设备打造24MHz基准时钟,宽温规格可耐受-40℃~105℃温差,高低温环境下频率偏移稳定,保障交换机,光纤收发器,物联网网关时序精准度.标准3225贴片体积小巧,四引脚定义统一,VCC,GND,时钟输出,使能引脚兼容通用电路设计,1.62-3.63V宽电压适配各类主控PHY芯片.有源一体化结构省去无源晶振外围匹配电路,缩短硬件开发周期,适配宽带通信,无线基站副时钟,以太网模组等通信硬件配套.