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: Greenray晶振,长方形钟振,ZT560晶振

频率：20.0kHz – 30.0 MHz 尺寸：20.32*12.70mm 产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品

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: Greenray晶振,温补晶振,ZT600/601晶振

频率：10MHz – 300MHz 尺寸：29.21*25.40mm 低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC（频率控制）功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.

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: Greenray晶振,恒温晶振,YH1322晶振

频率：10MHZ~120MHZ 尺寸：50.8*50.8mm 低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC（频率控制）功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.

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: Greenray晶振,插件晶体振荡器,YH1420晶振

频率：10MHZ~120MHZ 尺寸：20.32*12.70mm 该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.

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: Greenray晶振,石英晶体振荡器,YH1440/1441晶振

频率：10MHZ~100MHZ 尺寸：25.4*22.10mm 要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

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: Greenray晶振,OCXO晶振,YH1460/1461晶振,YH1485晶振

频率：10MHZ~100MHZ 尺寸：25.4*25.4mm 目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,

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: Greenray晶振,有源晶振,YH1518晶振

频率：100MHZ~250MHZ 尺寸：36.07*26.92mm 石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅

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: ECS晶振,32.768K晶振,ECX-39晶振

频率：32.768KHZ 尺寸：4.9x1.8mm

32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,此音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,

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: ECS晶振,石英晶体谐振器,ECX-34R晶振,ECX-34S晶振

频率：32.768KHZ 尺寸：3.2x2.5mm

32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,此音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性

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: ECS晶振,ECX-12晶振,贴片晶振,ECX-12L晶振

频率：32.768KHZ 尺寸：2.0x1.2mm

日本进口的32.768KHz系列晶振产品多元化,外观尺寸有多项选择,并且支持无源以及有源晶振应用.32.768KHz千赫子时钟晶体,其本身主要应用在时钟控制产品,或者是控制模块,主要给时钟芯片提供一个基准信号,其主要各项功能还得看应用何种产品.

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: ECS晶振,1X5X晶振,音叉表晶

频率：200KHZ 尺寸：1.5x5mm

KHZ千赫晶体系列为满足市场不同产品对精度的要求，通常情况下分为±5PPM、±10PPM、±20PPM，如果有其他特殊要求的客户也可以分为在精度上分为正偏差以及负偏差

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: ECS晶振,音叉晶体,2X6X晶振

频率：30KHZ~150KHZ 尺寸：2.0x6.0mm

KHZ千赫兹音叉型表晶体积大小通常分为3x8mm和2x6mm两种尺寸,晶体频率稳定性强，在各种产品中面对不同环境其晶振都能够保持在10PPM高精度。具有极强的抗震性能，在常规的摔落以及物流运输过程中都不会受到影响.

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CRYSTEK晶振推出CVPD-922超低相噪LVPECL压控振荡器
针对高速差分时序市场的核心技术痛点与量产刚需,全球高端频率控制领域标杆品牌CRYSTEK晶振(瑞斯克)重磅推出CVPD-922系列超低相位噪声LVPECL电压控制振荡器(VCXO),以行业顶级超低相噪基底,标准LVPECL差分输出,宽频适配,高线性调谐,宽温高稳的硬核性能,成为当下高速精密时序系统升级,国产方案迭代,高端设备性能突破的核心优选器件.
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