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Greenray晶振,TCXO晶振,T1170/1171晶振
更多 +频率：10MHZ~50MHZ 尺寸：20.50*20.50mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅
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Greenray晶振,温补晶振,T52晶振,T53晶振
频率：10MHZ~52MHZ 尺寸：5.0*3.2mm 温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能更多 +
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Greenray晶振,温度补偿晶振,T70晶振
频率：10MHZ~50MHZ 尺寸：7.0*5.0mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.更多 +
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Greenray晶振,TCXO晶振,T90/91晶振
频率：10MHZ~50MHZ 尺寸：9.14*7.49mm 电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站更多 +
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Greenray晶振,温补晶振,T124晶振
频率：650HZ~5.0MHZ 尺寸：17.27*17.27mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点更多 +
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Connorwinfield晶振,TCXO晶振,TFLD546E晶振,TFLD546晶振
频率：155.52MHZ 尺寸：9*14mm 温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.更多 +
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Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx134晶振
频率：32-52MHZ 尺寸：9*14mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.更多 +
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Connorwinfield晶振,TCXO晶振,TFLD646晶振,TFLD546G晶振,TFLD646E晶振,TFLD546晶
频率：155.52-156.25MHZ 尺寸：9*14mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求更多 +
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Connorwinfield晶振,VT-TCXO晶振,Tx176晶振,Tx180晶振
频率：6.4-50MHZ 尺寸：7.0*5.0mm 电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.更多 +
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Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx193晶振,Tx214晶振
频率：6.4-40MHZ 尺寸：5.0*3.2mm 5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.更多 +
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Connorwinfield晶振,VC-TCXO晶振,TX211晶振
频率：10-40MHZ 尺寸：3.2*2.5mm 电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.更多 +
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Connorwinfield晶振,TCXO晶振,Tx238晶振
频率：38.88, 40.0 or 50.0MHZ 尺寸：7.0*5.0mm 该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.更多 +
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Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx350晶振
频率：10-40MHZ 尺寸：7.0*5.0mm 温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.更多 +
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高利奇晶振,温补晶振,GTXO-C31晶振
频率：4.0 ~ 54.0MHz 尺寸：3.2*2.5mm 3225体积的温补晶振（TCXO）,是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度更多 +
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高利奇晶振,温补晶振,GTXO-C74晶振
频率：30.0 ~ 61.44MHz 尺寸：7.0*5.0mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求更多 +
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高利奇晶振,有源晶振,OCXOWST晶振,OCXOVST晶振
频率：10.0kHz ~ 54.0MHz 尺寸：20.8*13.2mm 温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.更多 +
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高利奇晶振,温补晶振,GTXO-S14晶振
频率：1.0~100MHZ 尺寸：20.8*13.2mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..更多 +
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高利奇晶振,温补晶振,GTXO-14晶振
频率：6.40 ~ 100MHz 尺寸：20.8*13.2mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点更多 +
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高利奇晶振,石英晶体振荡器,GTXO-83晶振
频率：6.0 ~ 45.0MHz 尺寸：5.0*3.2mm 温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,更多 +
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高利奇晶振,石英晶体振荡器,GTXO-91晶振
频率：8.0 ~ 52.0MHz 尺寸：3.2*2.5mm 产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：更多 +
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